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提高太陽能轉換效率 節能功率半導體助臂力

2011年,各界預期太陽能產業將先蹲後跳,亦即仍會維持向上成長態勢,展望太陽能前景可期,功率半導體供應商無不卯足全力分食市場大餅,除火紅的太陽能逆變器關鍵元件MOSFET、IGBT等外,能再大幅提升轉換效率的新功率半導體材料與電源管理解決方案將競出籠。

根據英飛凌公布的資料顯示,目前NEULAND計畫已可減少光電逆變器能損達50%,此借助於碳化矽(SiC)與矽基板氮化鎵(GaN-on-Si)製程的創新半導體元件,未來亦可用於桌上型與筆記型電腦、平面電視、伺服器、電信系統的開關式電源供應器零件。預期將有更多半導體業者爭相進駐此一領域。  

功率半導體在提升涵蓋從發電、配電至最終耗電的電力供應鏈節能效率上,重要性與日俱增。面對能源需求不斷攀升,功率半導體則有助於充分利用經由風力或太陽輻射能所產生的電力,同時盡量減少能源在傳送過程中的耗損,預期2011年將會有更多強化能源轉換效率的功率半導體解決方案在市面上輪番上陣。  

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