熱門關鍵字:ADAS | 藍牙5 | NB-IoT | AI | 工業4.0

訂閱電子報

立刻輸入Email,獲取最新的資訊:

收藏功能:
分享報新知:
其他功能:

緊追日韓記憶體廠 工研院試產次世代NVRAM

文‧黃耀瑋 發布日期:2013/01/10 關鍵字:NVRAM非揮發性記憶體DRAMFlashMRAMRRAM三星海力士東芝

工研院次世代非揮發性記憶體(NVRAM)即將試產。現有揮發性DRAM、SRAM及非揮發性快閃(Flash)記憶體,將分別面臨20或15奈米(nm)以下製程微縮的物理極限,難以持續改善晶片體積與耗電量;因此,除日韓一線記憶體廠正加緊量產新興磁性記憶體(MRAM)、電阻式記憶體(RRAM)外,工研院電光所亦攜手國內業者投入相關晶片研發,預計今年即可進入試產階段。  

工研院電光所奈米電子技術組組長顧子琨表示,行動、運算及消費性電子裝置均嚴格要求低功耗,對記憶體業者帶來更多技術挑戰;尤其受限於現有記憶體特性,每一代製程微縮將遭遇更艱難的電晶體漏電、晶圓耦合(Coupling)和浮動閘(Floating Gate)設計問題,且有可能在2015~2016年就觸及製程物理極限;因此,業界已傾向發展低耗電、小體積,非電荷儲存的次世代非揮發性記憶體技術,以順利跨越20奈米以下先進製程門檻。  

據悉,MRAM與RRAM係目前市場上最受推崇的兩大主流方案,在三星(Samsung)、海力士(Hynix)、東芝(Toshiba)及美光(Micron)等記憶體大咖相繼投入下,可嵌入系統單晶片(SoC)的MRAM、RRAM矽智財(IP),和單顆記憶體晶片發展已漸具雛型。其中,三星已在2012年發動購併攻勢,同步補強MRAM、RRAM生產技術;而東芝也與記憶體控制器開發商SanDisk合作,將於今年ISCC(IEEE Symposium on Computers and Communications)論壇,發表全球首款32Gbit RRAM。  

面對國際大廠卡位動作頻頻,工研院電光所亦啟動相關研發計畫,發展MRAM與RRAM的製程、IP與周邊控制器電路專利,協助台灣記憶體製造廠、IP供應商趕上日韓業者產品開發腳步,提升在次世代非揮發性記憶體市場的競爭力。  

顧子琨透露,該計畫已有優異成果,將旋即展開階段性技轉和試產。現階段,工研院正與國內合作夥伴研擬在12吋晶圓廠分別投產MRAM、RRAM晶片,並將於2015~2016年開始導入商用;初期工研院計畫鎖定行動裝置內建SoC,以MRAM取代SRAM做為內嵌記憶體,從而大幅縮減SoC尺寸及耗電量。  

顧子琨強調,次世代非揮發性記憶體技術將牽動記憶體製造設備、材料、電路與控制器設計革新,要提升良率並降低成本還須經歷很長的學習曲線;因此,一旦台商自行擁有MRAM、RRAM關鍵專利,就能贏在起跑點,可望在未來幾年加速擺脫DRAM代工命運,不再隨著市場需求波動而頻頻虧損;同時也能突破Flash核心技術被美、日、韓系業者把持的不利局面,進而與國際大廠平起平坐。

研討會專區
主題式電子報
熱門文章