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專訪IMEC總裁暨執行長Luc Van den hove 10nm製程將再掀半導體投資熱潮

文‧黃耀瑋 發布日期:2013/10/03 關鍵字:10奈米微影IMECEUVSiGe18吋晶圓

繼28奈米高介電係數金屬閘極製程(HKMG)、16/14奈米鰭式電晶體(FinFET)接連掀起半導體技術革命後,10奈米以下製程更將顛覆產業,並牽動微影與電晶體通道材料汰換,以及18吋晶圓導入需求等技術革新,使半導體業投資再度大爆發。

IMEC總裁暨執行長Luc Van den hove認為,除先進製程外,3D IC也將刺激半導體產業投資顯著升溫。
Van den hove指出,IMEC一向聚焦於領先晶圓廠商用製程二至三個世代的技術,目前已實現10奈米方案,並定義完成7奈米架構,同時也開始投入5奈米早期研究。然而,10奈米以下製程投資將相當可觀,不僅須採用極紫外光(EUV)微影設備、高電子移動性的新材料,還要將晶圓尺寸逐步延伸至18吋,才能克服電晶體密度大幅微縮的技術瓶頸,並使生產成本符合業界期待。  

Van den hove分析,電晶體通道更趨緊密後,可通過的電子數量減少將對效能產生影響,因此須更換電子移動性較高的材料;近期IMEC已成功以矽鍺(SiGe)取代矽提高效能,將有助晶圓廠在2015?2016年推出10奈米商用製程。至於7奈米,IMEC則計畫導入更高電子移動性的三五族材料。  

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