四大趨勢驅動 薄膜/蝕刻設備後勢看俏

作者: 侯冠州
2015 年 09 月 08 日

儲存型快閃(NAND Flash)記憶體、鰭式場效電晶體(FinFET)、多重曝光(Multiple Patterning)及晶圓級封裝(Wafer Level Package)等四大技術抬頭,將為半導體設備供應商開創新的發展契機,其中,薄膜沉積與蝕刻設備業者更將是最大的受惠者。



科林研發台灣區總經理何幼梅(右)表示,NAND、FinFET、多重曝光及晶圓級封裝等四大技術,將為該公司帶來穩定的成長。左為Lam Research企業傳播副總裁Kyra Whitten


科林研發台灣區總經理何幼梅表示,現今有幾項重要的產業趨勢,將帶動設備商的成長,第一個是NAND快閃記憶體應用越來越廣,第二個是FinFET電晶體結構導入商用,第三是多重曝光技術日益重要。


何幼梅指出,NAND記憶體在行動及物聯網(IoT)應用愈來愈多,而NAND記憶體製造商為達到更高的儲存容量,正不斷致力提高每晶片的堆疊層數,而每堆疊一層,就需一次薄膜沉積及蝕刻,因此對相關設備供應商而言,是一個很大的市場機會。


而在FinFET製程中,薄膜沉積和蝕刻也是不可或缺的步驟。至於多重曝光,則因為目前浸潤式(Immersion)微影已到極限,而下一代的極紫外光(EUV)微影還無法符合商用要求,這中間的過渡期便要採用多重曝光技術,而該技術同樣會有很多薄膜沉積和蝕刻步驟。


何幼梅進一步解釋,上述三個半導體產業的重要發展,都會使用到大量的薄膜沉積和蝕刻技術,而這兩項技術正好是該公司主力產品,因此看好這兩項產品市場未來會有很大的成長空間。目前科林研發的薄膜沉積設備市占率約35%,蝕刻機台則約50%,該公司預估未來3年這兩大產品都會有4~8%的成長。


除上述三項技術趨勢外,晶圓級封裝技術的盛行,亦為科林研發另一成長驅力。何幼梅指出,晶圓級封裝是一個正在起飛的市場,主要包括凸塊(Bumping)及重新繞線(RDL)兩項技術,同樣也須要透過薄膜沉積與蝕刻達成,所以也有助該公司未來發展。

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