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氮化鎵「錢」景可期 TI晶片樣品搶先推出

文‧侯冠州 發布日期:2016/05/20 關鍵字:MOSFETGaN德州儀器電源

看好氮化鎵(GaN)成長商機,德州儀器(TI)積極布局,於近期推出一款功率可達600瓦的氮化鎵(GaN)場效應電晶體(FET)功率級工程樣本--LMG3410。與基於矽材料FET的解決方案相比,此一產品與該公司的類比和數位電力轉換控制器相結合,能讓設計人員開發出尺寸更小、效率及效能更高的設計,以滿足隔離式高壓工業、電信、企業級運算和再生能源的應用。

德州儀器Broad Market Power副總裁暨總經理Hagop Kozanian表示,伺服器/通訊之交流-直流(AC-DC)供應及機架式直流電源分配(Racl-mount DC Power Distribution)兩大應用市場,將是驅使GaN FET成長的關鍵因素。其原因在於,採用矽製造的金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET),造成的切換損耗較高,因此無法負荷較高的切換頻率;但若採用GaN,因其本身特性可大幅減少生熱,所造成的切換損耗也會較小。因此,隨著伺服器中心/通訊電源設備建置日增,為減少功率損耗,將會有越來越多客戶採用GaN FET,進而帶動GaN FET成長。

據悉,新推出的LMG3410借助其整合式驅動器和零反向恢復電流等特性提供可靠的效能,特別是在硬開關(Hard-switching)應用中更是如此,能夠大幅降低高達80%的開關損耗;而與獨立的GaN FET不同,該產品針對溫度、電流和欠壓閉鎖(UVLO)的故障保護整合了內建智能機制。

Kozanian進一步指出,LMG3410並非只是單純的GaN FET,還結合該公司的GaN FET整合驅動器(Integrated Driver)。結合驅動器之後,該產品可實現保護作用,包括過電流(Over-current)或過熱(Over-temperature)保護,同時更能減少電壓應力和電磁干擾。此一作法目前於業界較為少見,大部分供應商都還是單獨供應GaN FET解決方案,並未將驅動器整合起來。

另一方面,為了能夠讓設計人員於電源設計中利用GaN技術所具有的優勢,TI還推出另一款新產品-- LMG5200POLEVM-10,以擴展其GaN生態系統。LMG5200POLEVM-10為48V至1V負載點(POL)的評估模組,將包括與80V LMG5200 GaN FET功率級配對使用的全新TPS53632G GaN FET控制器。這個解決方案可以在工業、電信和資料通信應用中實現高達92%的效率。

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