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瑞薩新款IGBT降低太陽能發電系統功率調節器與UPS產品功率損耗

發布日期:2016/06/15 關鍵字:RenesasG8HIGBT

瑞薩(Renesas)近期發表六款第8代G8H系列絕緣閘雙極電晶體(IGBT)新產品,可降低太陽能發電系統的功率調節器的轉換損耗,以及降低不斷電系統(UPS)的變頻器應用。新推出的六款產品版本為650 V/40 A、50 A、75 A,以及1,250 V/25 A、40 A、75 A,且第8代裝置的效能指數較第7代IGBT最高提升30%,有助於降低功率損耗並為使用者系統提升整體效能。

在太陽能發電系統中,當陽光透過太陽能面板產生的直流電(DC)通過變頻器電路轉換為交流電(AC)時,不可避免地會發生一些功率損耗。由於上述功率損耗大多數發生在所使用的功率裝置,因此降低IGBT的功率損耗將為使用者系統的發電效能帶來直接的正面效益。同樣地,對於伺服器機房與資料中心內的UPS系統而言,電力必須持續通過電源轉換器電路, IGBT效能是降低此功率損耗的關鍵。

為此,該公司運用其為功率轉換領域設計低功耗IGBT的專業技術,使第8代IGBT達到較佳化,並在程序結構中採用獨家的通道閘組態。相較於前代IGBT,新款產品可提供更快速的切換效能,其為IGBT效能指數的重要項目,同時藉由降低飽和電壓(Vce(sat))以減少導通損耗。

瑞薩網址:www.tw.renesas.com

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