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KLA-Tencor新系統問世 助力實現多重曝光/EUV顯影成型

文‧程倚華 發布日期:2017/09/14 關鍵字:製程控制科磊FinFET3D NAND

近日科磊(KLA-Tencor)針對7奈米以下的邏輯和尖端記憶體設計節點,推出了五款顯影成型控制系統,期盼幫助晶片製造商實現多重曝光技術和EUV微影所需的嚴格製程公差。新系統拓展了KLA-Tencor的多元化量測、檢測和資料分析的系統組合,能對製程變化進行識別和糾正。該五款系統包含ATL、SpectraFilm F1、Teron 640e、LMS IPRO7和5D Analyzer X1。

KLA-Tencor全球產品部執行副總裁Ahmad Khan表示,對於7奈米和5奈米製程節點,晶片製造商在生產中找到疊對誤差、線寬尺寸不均和熱點的根本起因變得越來越困難。除了曝光機的校正之外,客戶也在了解不同的光罩和晶圓製程步驟變化會如何影響顯影成型。

透過全製造廠範圍的開放式量測和檢測資料,IC工程師可以對製程問題迅速定位,並且在其發生的位置直接進行管理。KLA-Tencor推出的五款系統,期待能為客戶降低由每個晶圓、光罩和製程步驟所導致的顯影成型誤差。

在IC製造廠內,ATL疊對量測系統和SpectraFilm F1薄膜量測系統可以針對FinFET、DRAM、3D NAND和其他複雜元件結構的製造提供製程表徵分析和偏移監控。Teron 640e光罩檢測產品系列和LMS IPRO7光罩疊對位準量測系統,可以協助光罩廠開發和鑑定EUV和先進的光學光罩。5DAnalyzer X1高級資料分析系統提供開放架構的基礎,以支持晶圓廠量身定制的分析和實時製程控制的應用。

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