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SiC熱特性優異 電源轉換效能更上層樓

文‧Antonino Gaito/Giuseppe Sorrentino 發布日期:2018/01/04 關鍵字:SiC電源MOSFET矽元件

市場對切換速度、功率、機械應力和熱應力耐受度之要求日益提升,而矽元件理論上正在接近性能上限。寬能帶隙半導體元件因電、熱、機械等各項性能表現俱佳而被業界看好,被認為是矽半導體元件的替代技術。

在這些新材料中,相容矽技術製程的碳化矽(SiC)是最有前景的技術。碳化矽材料的電氣特性使其適用於研製高擊穿電壓元件,但是,遠高於普通矽元件的製造成本限制了其在中低壓元件中的推廣應用。在600V電壓範圍內,矽元件的性能非常好,CP值優於碳化矽元件。不過,應用要求晶片有更高的性能,而矽元件已經達到了極限。

本文評測了主切換採用意法半導體新產品650V SiC MOSFET的直流-直流升壓轉換器的電熱特性,並將SiC碳化矽元件與新一代矽元件做了全面的比較。測試結果證明,新SiC碳化矽切換元件提升了切換性能的標杆,讓系統具更高的效能,對市場上現有的系統設計影響較大。

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