熱門關鍵字:行動支付 | 自駕車 | 藍牙5 | NB-IoT | AI

訂閱電子報

立刻輸入Email,獲取最新的資訊:

收藏功能:
分享報新知:
其他功能:

NI發表新一代高密度電源量測單元

發布日期:2018/02/08 關鍵字:晶片製造PXI自動化汽車MEMS

國家儀器(NI)近日發表了 PXIe-4163高密度電源量測單元(SMU),其 DC通道密度為上一代NI PXI SMU的 6 倍,適合用來測試 RF、MEMS與混合訊號,以及其他類比半導體元件。

NI 全球銷售與行銷執行副總 Eric Starkloff 表示,5G、物聯網與自動化汽車等高顛覆性技術的出現,迫使半導體產業必須持續推動技術發展,並採用更具效率的方式來進行半導體測試。半導體測試在該公司的策略布局中佔有重要地位,正因如此,該公私正積極擴充旗下軟體平台與PXI的功能,並促成最新款PXI SMU的問世,協助晶片製造廠解決眼前的重大挑戰。

許多晶片製造廠均已迅速採用半導體測試系統(STS),以達到提高產量、提升成本效益與縮減生產線規模等目的。新款SMU可進一步發揮上述功效,其具備更高的DC通道密度,能在多站點應用上實現更高等級的平行機制,同時透過可立即用於生產的規格,達到實驗室等級的量測品質。工程師可結合運用上述優勢,將相同的儀控設備運用在檢驗實驗室與生產線上,如此即可減少與量測相關的種種難題,並縮短上市時間。

研討會專區
主題式電子報
熱門文章