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群聯eMMC/eMCP/UFS控制晶片支援美光64層3D NAND

發布日期:2018/03/06 關鍵字:UFSAI運算4K HDR快閃記憶體

群聯電子(Phison)為因應智慧行動儲存市場進入128GB、甚至是256GB的大容量等級需求,正式宣布eMMC/eMCP/UFS控制晶片將全系列支援美光64層3D NAND Flash,亦已準備次世代96層技術研發,不但協助客戶在智慧行動裝罝市場擴大產品戰線,亦為客戶卡位車聯網商機作好準備。

群聯電子表示,從快閃記憶體(NAND Flash)技術演進來看,當容量需求快速增加,甚至是倍增之時,2D的平面生產技術已不能滿足終端應用之需求。3D之NAND Flash技術,則透過垂直立體堆疊儲存單元的方式,突破容量上限的瓶頸,其最高容量將可倍增至256Gb(32GB),並可提升讀寫資訊之效能。

2018年全球行動通訊大會(MWC)已正式登場,應用於智慧型手機的AI運算、AR虛擬應用、身份辨識、GIF貼圖、4K HDR影片錄製以及環繞音場等創新功能成為各大國際手機廠發表新機之亮點,為能滿足這些多媒體功能儲存需求,今年度的智慧新機之內嵌式記憶體容量全面躍升至128GB、甚至是256GB的儲存容量等級。

該公司看好64層的3D NAND Flash將為今年最大宗之主流技術,因此除了推出的可支援該製程技術的高速UFS控制晶片PS8313之外,包括既有熱賣的eMMC/eMCP PS8226等全系列控制晶片皆同步支援東芝陣營及美光陣營的64層3D NAND Flash。

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