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先進製程推動EUV需求 ASML加速布局

文‧侯冠州 發布日期:2018/04/30 關鍵字:極紫外線Holistic LithoDUV艾司摩爾High-NA

10奈米及7奈米等先進製程節點帶動極紫外線(EUV)設備持續成長,看好未來潛在商機,半導體設備大廠艾司摩爾(ASML)也加速布局腳步,提升EUV設備出貨量,計畫於2018年達到出貨20台,2019年出貨30台以上EUV設備的目標。

ASML總裁暨執行長Peter Wennink表示,該公司的第一季營收超出預期,主要原因除了來自於客戶對於深紫外光(DUV)微影系統和全方位微影方案(Holistic Litho)的需求外,還有EUV的業務持續成長。ASML於2018年第一季完成3台EUV系統的出貨,另1台正準備出貨中;且同時於第一季獲得9台EUV設備--NXE:3400B的訂單。

Wennink進一步說明,種種跡象來看,該公司看到了EUV設備於2018年的良好開局,而該公司也認為EUV業務於2018年將會持續穩健成長,無論是銷售額或是盈利。

ASML日前公布2018年第一季財報,第一季營收淨額(Net Sales)為22.9億歐元,淨收入5.4億歐元,毛利率(Gross Margin)為48.7%。預估2018第二季營收淨額將落在25~26億歐元之間,毛利率約為43%,反映EUV營收將大幅增加。

Wennink指出,已有許多客戶公開討論將於2018年底前採用EUV進行晶片量產。為滿足此一需求,該公司計畫在2018年完成20台EUV系統出貨,並在2019年將EUV出貨量拉升到30台以上,協助客戶達成量產目標。

同時,Wennink透露,該公司也已經從三個主要客戶接到了下一代高數值孔徑(High-NA)的EUV設備訂單,且售出了8個High-NA EUV系統的優先購買權(Options)。

據悉,High-NA是EUV微影技術的延伸,其解析度(Resolution)和生產時的微影疊對(Overlay)能力比現有EUV系統高出70%,以實現未來產業對於幾何式晶片微縮(Geometric Chip Scaling)的要求。

另一方面,ASML也繼續提升EUV技術的吞吐量(Throughput);在一個客戶端的測試中,可達到每小時曝光125片晶圓的量產里程碑,同時在ASML的實驗室中也展現每小時曝光140片晶圓的能力。

至於在全方位微影方案上,ASML第一季已完成採用多重電子束技術(Multiple e-beam)的圖案缺陷量測(Pattern Fidelity Metrology)系統--ePfm5出貨。該系統是ASML收購漢微科後共同研發的產品,具備更高的解析度以檢測系統缺陷。

這項創新的電子束量測系統和ASML的運算式微影(Computational Lithography)軟體結合,能夠在實際製造晶片的過程中,即時提供電子束的反饋給微影系統;而ASML也已經證實多重電子束能夠進一步提升電子束量測的產能,應用於量產階段。

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