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96層3D NAND明年量產 群聯控制器方案準備就緒

文‧黃繼寬 發布日期:2018/06/08 關鍵字:固態硬碟隨身碟QLCSmartECC

為實現更高儲存密度,NAND Flash的堆疊層數不斷增加,單一晶胞內能儲存的資訊也越來越多。目前NAND Flash晶片已經進入64層TLC時代,展望2019年,三星(Samsung)、東芝(Toshiba)等業者都將進一步推出96層QLC顆粒。為了因應即將量產的新一代NAND Flash規格特性,控制器業者群聯已備妥對應的解決方案。

群聯電子發言人于紹庭表示,3D NAND Flash技術不斷推進,目前64層TLC已經是相當穩定的產品。而為了進一步提升儲存密度,NAND Flash供應商正在努力往96層QLC發展,屆時單一顆粒的儲存容量將可達1TB。其實,目前已經有業者發表採用QLC架構的64層3D NAND Flash,但技術驗證的意味濃厚,預計要等到2019年推出的96層3D NAND Flash,才會開始大量採用QLC。

為了因應此一技術發展趨勢,群聯在Computex期間正式發表其第一款支援3D QLC的控制晶片。由於QLC架構雖可實現更高的儲存密度,但資料儲存的可靠度跟讀寫速度卻會受到影響,因此該控制器搭載了群聯自行研發的第四代SmartECC技術,在PCIe Gen3x4的頻寬下,讀寫效能均可達3,200MB/s,IOPS則均為600K。

群聯進一步解釋,當資料被寫入到NAND Flash內部時,其支援SmartECC的控制器同時會產生一組校正碼,與資料一起存入。資料從NAND讀回時若發生錯誤,控制晶片會透過校正碼更正資料,若該錯誤無法透過ECC校正碼成功更正,這筆資料就會進入SmartECC的補救流程,藉由特別設計的演算法修正資料,提高資料可靠性。

不過,有業界人士認為,由於QLC的可靠度比TLC更差,因此即便96層QLC顆粒在2019年進入量產,要應用在固態硬碟(SSD)上,可能還需要一段時間。採用96層QLC顆粒的第一批終端應用產品應該不會是固態硬碟,而是USB隨身碟這類對可靠度要求較低的應用。而這也意味著USB隨身碟容量大舉進入1TB的時間點,可能會出現在2019年。

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