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半導體設備:提升研磨墊與調節器作用效率 實現CMP製程最佳化

文‧Annette Crevasse/Drew Chambers 發布日期:2006/01/16

化學性機械研磨法(Chemical Mechanical Polishing, CMP)過程中主要的消耗性材料包括研磨墊、研磨液和研磨墊調節器。在CMP製程中,研磨墊和鑽石調節器間的交互作用是個複雜的過程,對CMP製程模組的成本有重要的影響...

在健全的研磨過程中,主要是包括在晶片研磨過程與研磨墊調節過程這兩種相互抵觸的過程間,取得平衡的研磨墊-晶片介面。在研磨過程中,晶片會磨耗研磨墊粗糙的表面,在此同時,因為研磨墊粗糙凸起的表面與晶片接觸,進而造成較低或不規則的研磨速率。研磨墊調節器在晶片被研磨墊平坦化的過程中扮演調和的角色,調節器使用工業級鑽石對研磨墊的表面進行磨耗,這些鑽石會移除CMP製程中所產生的附產物及部分的研磨墊材質。這種對研磨墊表面的磨耗,不但有助於創造新的粗糙表面,還可移除研磨墊表面的附產物,達到維持CMP製程表現的一致性。調節器與研磨墊間的交互作用也同時定義了研磨墊粗糙表面的結構,這點對研磨特性也有重大的影響。  

設計研磨墊調節配方參數  

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