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先進製程穩紮穩打 聯電先顧40奈米金雞母

2013/5/10  黃耀瑋
聯電將全力衝刺40奈米(nm)晶圓代工業務。不同於台積電與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)陸續宣布加速16或14奈米鰭式電晶體(FinFET)量產時程,積極卡位先進製程市場,聯電則先以擴大40奈米營收比重為主要發展重心,並將擴增高壓液晶顯示(LCD)驅動IC、嵌入式快閃記憶體等12吋晶圓利基型製程,強化營收主力。

聯華電子執行長顏博文認為,聯電未來還有很大的發展空間,特別在40奈米製程方面將有亮眼的表現。
聯華電子執行長顏博文表示,通訊、運算設備及行動裝置對40奈米製程的需求仍非常強烈,因此持續提升40奈米製程研發能量,並擴充多元客製化產品陣容,才是聯電當前首要布局重點。至於28奈米以下先進製程,聯電也已擬好時程表,不會貿然進行大規模投資。

事實上,聯電積極拱大40奈米製程事業版圖的策略已開始奏效,該公司日前於2013年第一季法說會中繳出令人振奮的營運成績單,不僅40奈米以下製程營收比重從去年第四季的15%再攀高至18%,刺激晶圓出貨季增5%,營收年增5.8%,產能利用率也守在78%水準,優於去年底預估將滑落至75%的狀況。因此,該公司股價走勢也逐漸翻揚,並站上近7個月來的高點。

顏博文指出,晶片商庫存去化動作已於今年第一季告一段落,第二季可望重新啟動備貨計畫,尤其在各種通訊晶片對先進製程強勁的需求帶動下,聯電40奈米以下製程的營收占比更將超越兩成,晶圓出貨片數也將大幅成長12∼14%,產能利用率則有望回到80%左右。

此外,聯電也將與客戶並肩作戰,推出更多客製化的製程技術平台,刺激營收成長,如近期已與飛索(Spansion)簽訂40奈米嵌入式快閃記憶體(Embedded Flash)製程合作計畫;並將部署65、55、45及40奈米利基型製程方案,搶攻新一代高解析度LCD驅動IC高壓製程,互補式金屬氧化物半導體影像感測器(CMOS Image Sensor),以及智慧汽車(Smart Car)相關晶片製造商機。

至於28奈米以下先進製程則依公司藍圖逐步轉換生產線,並與客戶展開先期研發合作。顏博文強調,聯電28奈米SiON/POLY製程將在今年底貢獻個位數的總營收百分比,並將於明年首季轉換至更高效能、更低功耗的高介電係數金屬閘極(HKMG)方案,拉攏更多處理器客戶。2014年第三季則將發布14奈米FinFET的雙重曝光(Double Patterning)技術及設計定案(Tape Out),隨後於2015年正式量產。

由於聯電上述規畫獨漏20奈米,因而也引發業界關注其是否將略過此一製程節點。對此,顏博文分析,28奈米HKMG係一具主導性、生命週期較長的製程方案,相形之下,20奈米可能成為非主流製程(Weak Node),因晶片效能提升與投資成本效益不一定勝過直接導入14奈米FinFET,僅有一線處理器大廠為維持技術領先優勢才會計畫採用。也因此,聯電將視客戶需求發展20奈米,不會特別投注大量資源。

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40奈米聯電嵌入式快閃記憶體Double Patterning14奈米FinFET20奈米
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