Fairchild新款MOSFET可提高功率密度改善系統效率
發布日期:2015/09/10 關鍵字:EMI直流馬達MSL

快捷半導體宣布推出新款中電壓金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET),採用 Dual Cool 8mm×8mm封裝。尺寸較小的新產品針對體積大的D2-PAK封裝提供較佳的替代品,且功率密度提高,並透過封裝上下方的氣流實現更佳的冷卻效果。

Fairchild產品行銷總監Mike Speed表示,新款MOSFET提供較佳的效能、功率密度和效率,其封裝尺寸為D2-PAK裝置的一半,可確保製造商開發更高效的產品,同時降低成本和提高可靠性。

製造商可透過新款MOSFET提高直流(DC)馬達的效率,同時降低成本,同時具有較小尺寸、外形更薄、重量減輕93%,適用於重量敏感型應用,如無人機和航空模型等。該產品封裝的切換速度加快、EMI減少、功率密度提高、寄生損失降低;並使用源極夾片而非焊線,可降低寄生損失,確保大脈沖電流的源極電感比D2-PAK裝置降低63%。

此外,由於濕氣在儲存過程中常常導致元件分層剝落(Delamination),新推出的MOSFET耐濕性高,因此也更易儲存、裝運和搬運;並擁有較佳的MSL(濕度敏感),無需使用D2-PAK裝置的保護封裝即可防潮。

快捷網址:www.fairchildsemi.com

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