東芝發表第二代碳化矽蕭特基位障二極體
發布日期:2017/02/25 關鍵字:SiCSBDs湧浪順向電流4K

東芝半導體與儲存產品公司,近期發表第二代650V碳化矽(SiC)蕭特基位障二極體(SBDs),該產品提升了公司現行產品的湧浪順向電流(IFSM)約70%。8個碳化矽蕭特基位障二極體的新產品線也即將出貨。

此款碳化矽蕭特基位障二極體,採用東芝第二代碳化矽的製程製造,相較第一代產品,提升了70%的湧浪順向電流,且同時降低切換損失的RON*Qc指數約30%,使其適合用於高效率的功率因素修正方案。

新產品有4A、 6A、 8A和10A四種額定電流,用非絕緣的TO-220-2L或絕緣的TO-220F-2L包裝。這些產品有助於改善4K大銀幕液晶電視、投影機和多功能印表機的電源供應器效率,以及電信基地台和PC伺服器的工業設備。

 

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