收購/新品發布 英飛凌強力布局SiC/GaN市場

作者: 侯冠州
2018 年 11 月 20 日

因應節能減碳風潮,寬能隙半導體如氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)等需求逐漸上揚,商機也跟著加速成長。為搶占市場先機,電源晶片供應商英飛凌(Infineon)近日動作頻頻,不僅收購位於德國德勒斯登的新創公司Siltectra,獲得其創新冷切割技術(Cold Split)以處理SiC晶圓外,也於2018年德國慕尼黑電子展宣布旗下GaN全新解決方案「CoolGaN 600V增強型HEMT與GaN EiceDRIVER閘極驅動IC」進入量產。

英飛凌執行長Reinhard Ploss表示,收購Siltectra將有利於擴展該公司旗下的SiC產品組合,Cold Split技術有助於我們以更多的SiC晶圓量產SiC產品,進一步擴展在再生能源,以及推動SiC在電動車傳動系統的使用率。

據悉,Siltectra成立於2010年,相較於一般切割技術,此新創公司開發的分割結晶材料技術對於材料的耗損極低;而此技術也能應用於半導體材料SiC,SiC的需求預計將在未來幾年內迅速成長。

目前SiC產品已應用於效率極高的小型太陽能變頻器,未來SiC在電動車領域的重要性也將日益提高,而英飛凌已準備好將Cold Split技術運用於SiC產品,該技術將有助於確保SiC產品的供應,特別是長期而言;且Cold Split技術可望再往進一步應用,例如晶棒分裂或用於碳化矽以外的材料。

至於在GaN方面,英飛凌近日則於2018年德國慕尼黑電子展上推出全新解決方案「CoolGaN 600 V增強型HEMT和GaN EiceDRIVER IC」,並宣布新品進入量產。新產品具備更高功率密度,可實現更加小巧、輕型的設計,從而降低系統總成本、運營成本以及減少資本支出。

總而言之,在購併新創公司Siltectra後,英飛凌將可透過Cold Split技術有效提升SiC的產能,同時在全新GaN解決方案的推出之後,該公司也成為市場上可提供矽(Si)、SiC和GaN全系列功率產品的電源晶片供應商,市場競爭優勢將有望顯著提升。

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