改用多晶矽鍺閘 p通道MOS開關時間縮短

作者: Rohit Dikshit
2012 年 03 月 12 日
多晶矽鍺閘MOSFET的下降時間與開關性能,較多晶矽閘更具競爭力,為縮減p通道MOSFET的開關時間,產業界已開始以多晶矽鍺閘取代傳統的多晶矽閘。不過,多晶矽鍺雖具發展潛力,卻面臨蝕刻效率和製程控制的複雜考驗,為廠商須克服的首要難題。
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

通盤考量電路配置 高效/小型AC-DC電源設計有譜

2011 年 10 月 31 日

重新分配功率預算 MCU打造高能效智慧型儀表

2012 年 03 月 29 日

單晶粒整合CMOS/MEMS技術 CMEMS振盪器減小溫度漂移

2013 年 10 月 28 日

低溫製程/軟性基板加持 OLCD顯示螢幕商機可期

2020 年 06 月 11 日

霍爾感測器助電動車安全

2023 年 08 月 04 日

超導數位技術變革AI/ML發展 實現運算設備用電永續(2)

2024 年 10 月 04 日
前一篇
提升Cortex-M4 MCU價值 晶片商加碼軟體套件
下一篇
Ultrabook、平板電池訂單旺 新普重慶三廠成軍