日立(Hitachi,Ltd.)和瑞薩科技(Renesas Technology Taiwan)近日宣布推出使用穿孔型互連方式在室溫下連結晶片的推疊式晶片科技。此新科技可以免去金屬線的使用，並減少高達60%先進SiP(系統封裝)產品的封裝厚度。此方式提供了發展3D堆疊SiP產品的新封裝技術。
藉由此新的封裝技術，介於30-50μm厚的LSI晶片，將在頂端和底部間加上穿孔式電極和金屬凸塊；因此於室溫下，便可使用壓縮力連結凸塊和穿孔式電極。
此新技術的詳細內容已於2005年5月31日美國佛羅里達布納維斯塔湖(LakeBuena Vista)的電子元件科技研討會(Electronic Components and TechnologyConference 2005 ,ECTC 2005)中發表。
使用此新技術，雙層SiP的封裝厚度可從現有的1.25mm減少60%到0.5mm以下；其也可以在堆疊10層LSI晶片時將封裝厚度減少至1mm以下。除此之外，晶片間的連結也可在室溫下進行，進而簡化製造過程。
今日多數的SiP產品是使用金屬線來達到電子連結，但使用此金屬線的連結方式卻限制了封裝厚度。再者，既然晶片間的連結是藉由封裝基板線路，所以只要封裝基板層數增加，基板的成本就越高。除此之外，用來連結堆疊式晶片的線路越長，也會導致效能降低。此新科技可以減少晶片間連結的問題，並使未來的SiP產品以更小和更薄的形式呈現，和提供更高速和更大的容量。
特色：
‧使用填隙技術在室溫下連結晶片
‧使用低溫處理來成型晶圓後端的穿孔式電極
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