安森美推出垂直GaN技術　樹立功率密度和能效新標竿

隨著全球能源需求因AI資料中心、電動汽車以及其他高能耗應用激增，安森美推出垂直氮化鎵(vGaN)功率半導體，為相關應用的功率密度、能效和穩健性樹立新標竿。這些新一代GaN-on-GaN功率半導體能夠使電流垂直穿過化合物半導體，支援更高的工作電壓和更快的開關頻率，助力AI資料中心、電動汽車(EV)、可再生能源以及航空航太等領域實現更節能、更輕量緊湊的系統。...
2025 年 10 月 31 日

AI促成電源設計革命　GaN導入不再卡關

為了在電源供應器(PSU)這類應用中完全發揮氮化鎵技術的潛力，電源供應器的設計與許多被動零組件，都必須大幅更換。全新的拓撲與零件，會為PSU的穩定運作帶來未知數，因此PSU業者多半相對保守，直到需要大量電力的AI伺服器到來，PSU業者才決定放手一搏。...
2025 年 10 月 02 日

TI推廣GaN技術　助力資料中心應對AI運算需求

隨著AI與高效能運算持續發展，資料中心對半導體解決方案的功率密度與能源效率要求日益提升。有鑑於此，德州儀器台灣與南亞業務總經理馮偉意將於9月9日上午10點05分於SEMICON TAIWAN 2025功率暨化合物半導體論壇，以「氮化鎵驅動AI革新：高效率電源引領智慧新時代」為題，分享TI...
2025 年 08 月 28 日

低損耗高精度　GaN助力人形機器人突破控制瓶頸

人形機器人整合了許多子系統，其中包括伺服控制系統，電池管理系統 (BMS) ，感測器系統， AI 系統控制等。將這些系統整合至人員體積中，同時維持複雜系統的平穩運作，要符合尺寸與散熱需求是極富挑戰性的。人形機器人中空間最受限的子系統是伺服控制系統。為了達到與人類類似的運動範圍，機器人中通常部署了約...
2025 年 08 月 18 日

寬能隙功率元件擁抱新藍海　GaN/SiC深化AI/高速充電應用

在AI資料中心、5G/6G、電動車與再生能源等高科技應用推動下，產業對高能效與高電壓架構的需求持續攀升，寬能隙功率半導體如碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)，正快速成為推動未來科技發展的關鍵核心。 這類元件具備高速、高耐壓、低耗能等特性，成為替代傳統矽元件的最佳設計選擇，帶動電力電子技術的革新。然而，在實際導入產品設計與量產時，開發者仍面臨驅動設計、封裝散熱、EMI干擾與可靠度驗證等技術挑戰，亟需更深入的技術交流與產業合作。...
2025 年 08 月 15 日

GaN技術助力人形機器人伺服系統提升控制精度與功率密度

人形機器人整合了許多子系統，其中包括伺服控制系統，電池管理系統(BMS)，感測器系統，AI系統控制等。將這些系統整合至人員體積中，同時維持複雜系統的平穩運作，要符合尺寸與散熱需求是極富挑戰性的。人形機器人中空間最受限的子系統是伺服控制系統。為了達到與人類類似的運動範圍，機器人中通常部署了約40部伺服馬達(PMSM)和控制系統。馬達分布在身體的不同部位，例如頸部、軀幹、手臂、腿部、腳趾等。此編號不包括手中的電機。若要模擬人的手自由度，一隻手即可整合十幾個以上的微馬達。這些馬達的功率需求視執行的特定功能而定；例如，驅動機器人手指的馬達可能只需要幾安培，而驅動髖部或腿部的馬達則需要100安培以上。...
2025 年 07 月 15 日

瑞薩電子推出三款高壓650V GaN FETs　適用於AI資料中心及電動車充電器

瑞薩電子今天推出三款高壓650V GaN FETs，適用於AI資料中心及採用新款800V HVDC架構的伺服器電源、電動車充電器、UPS備用電池設備、電池儲能裝置和太陽能逆變器。這些Gen IV Plus元件專為一千瓦以上的應用而設計，將高效能GaN技術與矽相容的閘極驅動輸入相結合，顯著降低了切換功率損耗，同時保留矽FETs的操作簡便性。該元件提供TOLT、TO-247和TOLL封裝選項，使工程師能夠靈活地針對特定電源架構，客製化熱管理和PCB設計。...
2025 年 07 月 04 日

ROHM推出高耐壓GaN HEMT驅動絕緣閘極驅動器IC「BM6GD11BFJ-LB」

半導體製造商ROHM推出一款適用於600V高耐壓GaN HEMT驅動的絕緣閘極驅動器IC「BM6GD11BFJ-LB」。透過與本產品組合使用，可使GaN元件在高頻、高速開關過程中實現更穩定的驅動，有助於馬達和伺服器電源等大電流應用進一步縮減體積並提高效率。...
2025 年 05 月 27 日

意法半導體推出VIPerGaN65D反馳式轉換器　支援65W快充電源解決方案

意法半導體新推出的VIPerGaN65D反馳式轉換器採用SOIC16封裝，能提供小巧且具成本效益的電源供應、適配器以及支援USB-PD快充功能的電源，最高可達65W，並支援通用輸入電壓。 這款準共振式離線轉換器整合了700V氮化鎵(GaN)元件與最佳化的閘極驅動器，具備典型的保護功能，提升功率密度與效率。該GaN元件可在最高240kHz的頻率下運行，開關損耗極小，使其可設計出小型反馳式變壓器、小型被動元件以及小型化、低成本的電路板。...
2025 年 04 月 10 日

CGD推出Combo ICeGaN技術　助力電動汽車動力系統進軍百億市場

無晶圓廠環保科技半導體公司Cambridge GaN Devices(CGD)專注於開發高能效氮化鎵(GaN)功率元件，致力於簡化綠色電子產品的設計和實施。近日，CGD進一步公布了關於ICeGaN GaN技術解決方案的詳情，該方案將助力公司進軍功率超過100kW的電動汽車動力總成應用市場，該市場規模預計超過100億美元。Combo...
2025 年 03 月 25 日

ROHM EcoGaN導入Murata Power Solutions的AI伺服器電源

半導體製造商ROHM(總公司：日本京都市)的650V耐壓、TOLL封裝的EcoGaN產品GaN HEMT，被日本先進電子元件、電池和電源製造商村田製作所集團旗下Murata Power Solutions的AI(人工智慧)伺服器電源所採用。ROHM的GaN...
2025 年 03 月 11 日

英飛凌發布2025年GaN功率半導體預測報告

在全球持續面臨氣候變遷和環境永續發展挑戰之際，英飛凌科技一直站在創新前沿，利用包括矽(Si)、碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)在內的所有相關半導體材料大幅推動低碳化和數位化領域的發展。 英飛凌在「2025年GaN功率半導體預測報告」中強調，GaN將成為改變遊戲規則的半導體材料，它將大幅改變大眾在消費、交通出行、住宅太陽能、電信和AI資料中心等領域提高能效和推進低碳化的方式。GaN可為終端客戶的應用帶來顯著優勢，包括提高能效表現、縮小尺寸、減輕重量和降低總體成本。如今USB-C充電器和適配器已經是GaN應用的領跑者，有更多產業即將達到GaN的應用關鍵轉折點，這將大幅推動GaN功率半導體市場的發展。...
2025 年 03 月 06 日
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