英飛凌新推CoolSiC MOSFET 750V G1產品系列

英飛凌(Infineon)推出750V G1分立式CoolSiC MOSFET，以滿足工業和汽車電源應用對更高能效和功率密度日益成長的需求。該產品系列包含工業級和車規級SiC MOSFET，針對圖騰柱PFC、T型、LLC/CLLC、雙主動式橋式(DAB)、HERIC、降壓/升壓和相移全橋(PSFB)拓撲結構進行了優化。這些MOSFET適用於典型的工業應用(包括電動車充電、工業馬達驅動器、太陽能和儲能系統、固態斷路器、UPS系統、伺服器/資料中心、電信等)和汽車領域(包括車載充電器(OBC)、直流-直流轉換器等)。...
2024 年 04 月 02 日

英飛凌推出新一代碳化矽技術CoolSiC MOSFET G2

英飛凌(Infineon)推出新一代碳化矽(SiC)MOSFET溝槽式技術，與上一代產品相比，全新的CoolSiC MOSFET 650V和1200V Generation 2技術在確保品質和可靠性的前提下，將MOSFET的主要性能指標(如能量和電荷儲量)提高了20%，不僅提升了整體能效，更進一步推動了低碳化進程。...
2024 年 03 月 22 日

英飛凌推出全新CoolSiC MOSFET 2000V產品

英飛凌(Infineon)推出採用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiC MOSFET 2000V裝置，不僅能夠滿足設計人員對更高功率密度的需求，而且即使面對嚴格的高電壓和開關頻率要求，也不會降低系統可靠性。...
2024 年 03 月 19 日

AI帶動ASIC需求　Arm全面設計為客製化晶片鋪路

生成式AI帶動市場對於運算效能與彈性的需求，來處理龐大的資料量。IC的設計與製造也順應AI技術快速變化的趨勢，需要發展更多彈性與客製化設計。因此Arm全面設計(Arm Total Design)與其他企業合作，加速與簡化基於Arm...
2024 年 03 月 04 日

SiC/GaN最佳化傳動系統效率　實現EV節能設計(1)

電動車的傳動系統至關重要，其核心元件是牽引逆變器。牽引逆變器是電動交通工具提升效率和永續性的關鍵，會直接影響功率輸出，並大幅改變汽車動力。電動車效率的提升，也必須考慮整合輔助子系統，並運用高階半導體技術。...
2024 年 02 月 02 日

SiC/GaN最佳化傳動系統效率　實現EV節能設計(2)

電動車的傳動系統至關重要，其核心元件是牽引逆變器。牽引逆變器是電動交通工具提升效率和永續性的關鍵，會直接影響功率輸出，並大幅改變汽車動力。電動車效率的提升，也必須考慮整合輔助子系統，並運用高階半導體技術。...
2024 年 02 月 02 日

致瞻科技採用ST SiC技術提升電動車空調壓縮機控制器效能

意法半導體(ST)宣布與致瞻科技合作，為其電動車車載空調中的壓縮機控制器提供意法半導體第三代碳化矽(SiC)MOSFET技術。高效能控制器能為新能源車帶來諸多益處，以60kWh~90kWh動力電池容量的中型電動車為例，續航里程可延長5到10公里，在夏冬兩季的效果尤為明顯。...
2024 年 01 月 30 日

手勢辨識ASIC簡化IVI系統控制

資訊娛樂產品的手勢控制功能，有助於避免駕駛分心操作觸控螢幕和不易觸及的旋鈕，進而提升駕駛體驗與安全性。手勢辨識可應用於控制螢幕、語音、以及按鈕的功能，讓駕駛能專心注視路況。其中在手勢辨識的元件方面，飛時測距(ToF)攝影機雖然技術先進，但需要繁複的運算且成本較高。整合方案則將光學、感測、以及類比前端等零組件整合成一顆ASIC，則能夠大幅降低成本，讓更多車款採用手勢辨識技術。...
2024 年 01 月 23 日

低切換耗損/低導通阻抗　SiC解鎖電源測試設備效能

各國市場的環保意識抬頭，且2021年於聯合國氣候變遷大會COP26(Conference of the Parties)共同通過新協議「格拉斯哥氣候公約」，意旨為了避免氣候變遷危機，應努力將全球平均氣溫上升的幅度，控制於2℃之內。此公約明確展現了全球各國應該減少碳排放量，並目標於2050年實現淨零排放。...
2024 年 01 月 11 日

ST SiC助力理想汽車進軍高壓純電動車市場

意法半導體(ST)與理想汽車簽立碳化矽(SiC)長期供貨協議，意法半導體將為理想汽車提供碳化矽MOSFET，支援理想汽車進軍高壓電池純電動車市場的策略。 隨著汽車產業電動化和綠色低碳持續轉型，高壓純電動車因其效能更高、續航里程更遠，已成為汽車製造商的熱門選擇。除了知名的增程式電動車(Extended-Range...
2024 年 01 月 08 日

專訪英飛凌科技高級副總裁曹彥飛：車用GaN/SiC技術/產能邁大步

汽車電動化已經是不可逆的市場趨勢，車用IC供應商紛紛投入更多電動車相關的研發能量與布局力道，搶攻電動車商機。在電動車的能源系統中，盡可能提升能源轉換效率是重要的目標，因此寬能隙半導體碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)的市場熱度，隨著電動車的快速發展成長。...
2024 年 01 月 08 日

PI新閘極驅動器適用於高額定電壓SiC/IGBT模組

Power Integrations(PI)宣布推出適用於額定電壓達1,700V的62mm碳化矽(SiC)MOSFET和矽IGBT模組的新型隨插即用閘極驅動器系列，該系列具有增強的保護功能，可確保裝置安全且可靠地運作。SCALE-2...
2023 年 12 月 19 日
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