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搶食嵌入式大餅 恆憶PCM攻勢凌厲

文‧林苑晴 發布日期:2010/05/03 關鍵字:SamsungIntelSTNANDNORDRAM

變相記憶體(PCM)已成為記憶體龍頭競逐焦點,繼日前三星(Samsung)宣布將於第二季推出適用於智慧型手機的PCM,恆憶(Numonyx)也不甘示弱,自2008年底率先業界發表首款串列周邊介面(SPI)PCM後,又於4月29日發布第二代SPI及P8P介面PCM,再次展現積極進軍嵌入式市場的雄心。  

恆憶亞太區嵌入式業務總經理徐宏來透露,2010年底前將有搭載PCM的終端產品上市。
PCM被喻為次世代最具潛力的記憶體技術,吸引不少記憶體大廠爭相投入,甚至連2009年躍居全台灣記憶體晶片獲利王的旺宏也將與美商IBM合作開發PCM技術,搶分PCM市場一杯羹。恆憶亞太區嵌入式業務總經理徐宏來表示,相較於儲存型快閃記憶體(NAND Flash)製程上限為15奈米,PCM具有嵌入式系統所需的長期製程升級能力與可靠性,再加上位元組可修改,毋須擦除操作,且支援覆寫功能,以及耐寫能力高達一百萬次,為快閃記憶體的十倍,在嵌入式市場更具競爭力。  

著眼於三星、旺宏紛紛加入PCM戰局,由英特爾(Intel)與意法半導體(ST)記憶體部門獨立成軍的恆憶,挾龐大的技術資源正試圖透過開發出廣泛用於嵌入式系統的SPI與P8P介面的PCM,以及採用嵌入式市場最普及的561 TSOP和64b Easy BGA封裝,迅速搶攻最大嵌入式版圖。另一方面,恆憶既有的8吋晶圓廠,除已透過90奈米製程量產儲存容量128Mb的PCM,主要鎖定高速成長的串列式與並列式NOR快閃記憶體市場之外,徐宏來透露,目前該公司已投入45奈米製程研發,預計最快2010年底至2012年可望正式量產,屆時儲存容量上看2Gb,預計至2012年,藉由45奈米製程將可擴大現有市場規模至10億美元以上。  

有別於傳統NOR快閃記憶體,PCM省去擦除時間,寫入時間僅184毫秒,較NOR快閃記憶體快九倍,因此有助於提高系統效能。看準此一特性,恆憶正積極搶進數位機上盒、電信、印表機、智慧電表等嵌入式領域。徐宏來舉例,消費性電子產品通常會使用串列式電子抹除式可複寫唯讀記憶體(EEPROM)和NOR快閃記憶體,分別用來執行位元組修改與儲存應用韌體,未來可以單一PCM達成此兩大功能,即可藉此縮減材料成本、耗電量及電路板空間。  

根據市調機構iSuppli預估,2010年串列式與並列式NOR快閃記憶體市場產值將分別達約2.5億美元、25億美元以上;至2012年更將分別突破4.5億美元和26億美元。

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