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工研院技術突破 超低電壓晶片/NVRAM量產有望

文‧黃耀瑋 發布日期:2013/02/25 關鍵字:NVRAM非揮發性記憶體MRAMRRAM三星海力士東芝超低電壓晶片MEMS振盪器台積電晶心科技聯發科英特爾德州儀器

鎖定行動裝置低耗電設計要求,工研院正全力發展0.6伏特以下超低電壓晶片,及低功耗非揮發性記憶體(NVRAM),並於近期展示初步研發成果;此將協助台灣IC設計業者提高SoC與記憶體技術實力,與美、日、韓業者爭搶行動裝置核心零組件商機。

同時,工研院在低耗電非揮發性記憶體研發方面亦有所突破,將助力台商掌握關鍵專利,進而擺脫動態隨機存取記憶體(DRAM)代工「慘」業陰霾,並加快轉進商機持續茁壯的行動裝置市場。  

突破超低電壓設計 工研院趕上英特爾/TI 

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