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瞄準16/14nm檢測需求 漢微科明年產能翻三倍

文‧黃耀瑋 發布日期:2013/08/02 關鍵字:E-beam Inspection電子束檢測漢微科20奈米eScan 500FinFET3D ICEUV

半導體電子束檢測(E-beam Inspection)設備龍頭漢微科正全速擴產。繼28和20奈米(nm)之後,2015年晶圓代工廠紛紛跨入16或14奈米鰭式電晶體(FinFET)世代,對高解析度的電子束檢測設備需求將更加強勁,因而帶動漢微科提早展開布局,將於2013~2014年投入新台幣10億元擴建新廠房,並於2014下半年正式投產,挹注三倍設備產能。  

漢微科財務長李學寒表示,自2012年開始,晶圓代工業者已逐步在28奈米先進製程中導入高階電子束晶圓缺陷檢測設備,以克服電晶體密度大幅微縮後,傳統光學檢測方案不敷應用的問題。隨著一線晶圓代工廠爭相在2013年推出20奈米製程,並接續於2014~2015年往下跨入16或14奈米世代,電子束檢測設備需求更將顯著上揚,預估今年產值將上看2億美元,並於2014年飆升至3億美元。  

因應市場強勁需求,漢微科行銷副總經理胡瑞卿強調,該公司已計畫今明2年各投資新台幣5億元於南科闢建新的無塵室與設備產線,預估2014年下半年即可完工並隨即加入量產行列,有助旗下電子束檢測設備年產能三級跳,從現有的五十台躍升至一百五十台水準,全面滿足晶圓廠部署20奈米以下製程的需求。  

據悉,今年上半年漢微科已陸續接獲20奈米晶圓的電子束檢測設備訂單;同時也與主要晶圓廠攜手展開1x奈米FinFET晶圓檢測技術合作,可望於2014年開花結果,挹注另一波電子束檢測設備出貨成長動能。  

李學寒透露,晶圓廠正馬不停蹄備戰先進奈米製程,刺激半導體檢測技術加快演進步伐,且相關設備需求也將逐年高漲。因此,漢微科將於今年底發表新一代eScan 500電子束檢測設備,除將解析度推升至3奈米水準外,亦將整合跳躍式掃描系統(Leap Scan)和連續式掃描系統(Continuous Scan),從而提高應用價值與吞吐量,鞏固該公司目前在電子束晶圓檢測領域市占高達八成的領先地位。  

由於美、日傳統光學檢測方案供應商近來亦積極轉戰電子束應用領域,漢微科正致力開發更前瞻的技術,期拉開技術差距。李學寒表示,該公司下一代產品將朝2奈米以下超高解析度邁進,並採取多頭布局策略,針對10奈米極紫外光(EUV)微影方案,以及三維晶片(3D IC)矽穿孔(TSV)製程研發相應的檢測設備;同時還將加碼投資多重光束電子束(Multi Column E-beam)技術,並於2014年底推出Beta版本設備,協助晶圓廠提高數倍1x奈米晶圓檢測速度。  

事實上,半導體業界認為,晶圓製程走到1x奈米後,光學檢測幾乎面臨極限,電子束方案將順勢取而代之;漢微科主攻電子束檢測可謂押對寶,自2011年晶圓廠開始部署28奈米時,該公司就已在半導體晶圓前段製程缺陷檢測領域嶄露頭角,之後2年營收更屢創新高。今年第二季毛利率不僅維持70.4%,營收也達到新台幣12億8,796萬元的出色表現,且預估第三季因客戶積極準備量產20奈米,刺激相關檢測設備需求,該公司營收仍將微幅成長。

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