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兩大新技術加持 三星二代10奈米DRAM量產搶商機

文‧侯冠州 發布日期:2017/12/27 關鍵字:三星電子記憶體DDR4空氣間隔

搶攻DRAM市場商機,三星電子(Samsung Electronics)宣布量產其第二代10奈米等級(1y-nm) 8Gb DDR4 DRAM。該元件採用高敏感度的單元資料感測系統(Cell Data Sensing System)及「空氣間隔」(Air Spacer)解決方案,以達更高效能、更低功耗,以及更小的體積。

DRAM市場表現強勁,IC Insights預估,2017年DRAM市場將激增74%,為1994年以來最大增幅;未來DRAM預計將成為至今半導體產業內最大的單一產品類別,產值高達720億美元。

為迎合市場龐大需求,三星記憶體事業部門總裁Gyoyoung Jin表示,第二代DDR4 DRAM的電路設計與製程新技術,讓該公司突破DRAM擴展性的主要障礙;三星將加速新產品的量產,同時也積極擴大第一代DDR4 DRAM的產量。

據悉,三星第二代10奈米製程所生產的8Gb DDR4 DRAM,比第一代在生產效率上提高了近30%。同時,為提升DRAM效能,該元件使用全新技術,分別為高敏感度的單元資料感測系統及「空氣間隔」方案,而非過往的EUV技術。

三星指出,透過高敏感度的單元資料感測系統,可更精準確定每個記憶體單元內儲存的資料,提升電路整合度以及製造生產力;而在字元線(Bit Lines)周遭放置空氣間隔,可降低寄生電容,達到更高等級的微縮及快速的單元運作。

新技術的加持讓第二代8Gb DDR4 DRAM的性能和省電效益分別提高了約10%和 15%;且每個引腳能以每秒3,600Mbit/s的速度運行,比第一代的8Gb DDR4 DRAM的3,200Mbit/s速度,提升10%以上。

三星指出,在第二代10奈米等級DRAM所採用的創新技術,將讓該公司能加速未來DRAM晶片的問世,包括DDR5、HBM3、LPDDR5與GDDR6,用於企業伺服器、超級電腦、高性能運算系統,以及行動設備等。

目前三星已和CPU製造商完成了第二代8Gb DDR4 DRAM模組的驗證,接下來計畫將與全球IT企業緊密合作,開發更高效的運算系統。未來三星除迅速增加第二代10奈米DRAM產量外,也將持續生產更多第一代DDR4 DRAM的產量,以滿足日益增長的DRAM市場。

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