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英特爾/美光聯手 首款QLC 3D NAND正式出貨

文‧吳栢妤 發布日期:2018/05/29 關鍵字:3D NANDQLCTLC快閃記憶體Flash Memory

英特爾(Intel)與美光科技(Micron)近日宣布,業界首見的4bits/cell(QLC)3D NAND快閃記憶體已開始投產與出貨,QLC NAND技術採用64層堆疊,使每顆晶粒(Die)的儲存密度達到1Tb,為目前儲存密度最高的快閃記憶體。

英特爾與美光聯手投入64層QLC 3D NAND技術開發,該技術採用「CMOS under the array (CuA)」架構,以縮小晶粒尺寸並提高性能。此外,新推出的NAND快閃記憶體,每個晶粒擁有4個儲存矩陣(Plane),是其他競爭產品的兩倍,因此能同時寫入與讀取更多單元,並提供更快的傳輸速率以及更大的頻寬。

英特爾表示,64層QLC 3D NAND技術可在更小的空間內實現更高密度的儲存,為讀取密集型的雲端工作節省大量成本。此外,其也能作為計算相關應用提供成本優化的儲存解決方案。

英特爾與美光科技也宣布第三代3D NAND的發展進程。第三代3D NAND將採96層堆疊結構,堆疊層數比第二代3D NAND增加50%,有望達到Gb/mm2的儲存密度。

美光科技發展部執行副總裁Scott DeBoer表示,新的QLC NAND技術採用64層結構,使其陣列密度比TLC提高33%,而該公司也將持續研發並推動96層快閃記憶體技術之創新,將資料微縮在更小的空間中,以實現更高的工作負載。

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