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搶先插旗90層TLC市場 三星宣布量產第5代V-NAND

文‧侯冠州 發布日期:2018/07/16 關鍵字:Samsung3D NAND TLCCTFQLCToggle DDR 4.0

三星(Samsung)近日宣布正式量產第5代V-NAND快閃記憶體,第5代V-NAND 堆疊層數超過90層,且為首度支援Toggle DDR 4.0傳輸介面的NAND快閃記憶體,其單顆封裝的傳輸速度即可達1.4Gbps,相較於前一代64層的產品,傳輸速度提高了40%,並可實現更低的功耗及大幅減少寫入延遲。

三星電子快閃記憶體產品與技術執行副總裁Kye Hyun Kyung表示,第5代V-NAND解決方案將能滿足快速成長的高端儲存市場,此外,該公司除了宣布量產第5代V-NAND之外,未來也會為V-NAND陣容推出1TB和QLC(Quad-level Cell)的產品,這將繼續推動下一世代的NAND儲存解決方案發展。

據悉,第5代V-NAND快閃記憶體除了採用全新Toggle DDR 4.0傳輸介面提升速率之外,也進一步強化性能和功耗,其工作電壓從1.8V降至1.2V,寫入速度也高達500us,比上一代V-NAND快閃記憶體提升了30%,而讀取速率的回應時間也縮短到50us。

此外,該產品內部堆疊超過90層電荷儲存式快閃記憶體(Charge Trap Flash, CTF) Cell,是目前市面堆疊層數最高的3D NAND TLC架構快閃記憶體;這些儲存單元透過微管道孔洞連接,每個孔洞只有幾百奈米寬,總計包含超過850億個CTF單元,每個單元可以儲存3位元資料。

另一方面,第5代V-NAND快閃記憶體也透過製程技術的改善,使製造生產效率提升30%,並藉由先進製程技術,使每個快閃記憶體單元的高度降低20%,減少單位之間干擾的發生率,進而提高資料處理的效率。

三星指出,該公司目前正加強第5代V-NAND快閃記憶體的量產進程,以滿足廣泛的市場需求,像是高密度儲存領域,高效能運算、企業伺服器,以及行動裝置市場等。

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