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布局QLC 3D NAND市場 三星/WD相繼出招

文‧侯冠州 發布日期:2018/08/08 關鍵字:SamsungBiCS4SSD3D NANDMicron

瞄準3D NAND市場商機NAND Flash廠相繼於於2018下半年推出QLC架構的3D NAND Flash。除了英特爾(Intel)與美光科技(Micron)於日前宣布,雙方聯手開發的4bits/cell(QLC)3D NAND快閃記憶體開始投產與出貨外;近期三星(Samsung)與Western Digital也相繼發表QLC 3D NAND Flash布局計畫。三星將開始量產款首款搭載QLC快閃記憶體的消費性SSD,而Western Digital則宣布已成功開發出第二代4-bits-per-cell 3D NAND架構,目前已開始送樣,預計今年量產出貨,並於旗下SanDisk品牌之消費性產品率先使用。

三星電子記憶體銷售和市場營銷執行副總裁Jaesoo Han表示,隨著該公司將產品陣容擴展到消費性電子市場和企業市場後,4-bits SSD產品將會迅速普及,擴展到任何市場。

三星指出,4-Bit QLC快閃記憶體能夠讓SSD達到540MB/s的持續讀取速度,以及520MB/s的持續寫入速度;且QLC架構的快閃記憶體可以讓這些SSD產品從 1TB起步,最高達到4TB的容量。目前已開始量產的消費級SSD,一共有1TB、2TB和4TB三種規格。

另一方面,Western Digital則宣布已成功開發第二代96層的BiCS4 3D NAND Flash。透過專為96層BiCS4產品導入的QLC技術,已成功使單顆粒3D NAND的儲存容量高達1.33 Tb(Terabits)。

Western Digital矽晶片技術與製造部門執行副總裁Siva Sivaram指出,透過Western Digital在矽晶片處理、裝置工程和系統整合等方面的能力,QLC技術能提供16個不同單元臨界值電壓來進行資料讀取和儲存。該公司期待新發布的BiCS4 QLC能滿足零售、行動、嵌入式、客戶端及企業級等應用需求。

據悉,BiCS4是Western Digital與合作夥伴東芝記憶體(Toshiba Memory Corporation)於日本四日市合資設立之快閃記憶體製造廠區所研發,而新推出的第二代96層的BiCS4 3D NAND Flash目前已開始送樣,預計今年量產出貨,並於旗下SanDisk品牌之消費性產品率先使用。Western Digital希望BiCS4應用能擴展至各種領域,像是零售至企業級SSD市場。

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