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ANSYS獲台積電7奈米製程/先進封裝技術認證

發布日期:2018/10/12 關鍵字:台積電InFOFabless

ANSYS宣布,採極紫外線微影(Extreme Ultraviolet Lithography, EUV)技術的7奈米 FinFET Plus(N7+)製程節點的ANSYS解決方案已獲台積電(TSMC)認證,台積電亦驗證最新InFO_MS(Integrated Fan-Out with Memory on Substrate)先進封裝技術的參考流程。對無晶圓廠(Fabless)半導體公司而言,由於模擬工具需通過新製程節點和封裝技術嚴格測試與確認,因此認證與驗證非常重要。

 

ANSYS RedHawk與ANSYS Totem皆獲得台積電N7+製程技術認證,並且支援極紫外線微影(EUV)功能。N7+認證包含萃取、電源完整性與可靠度、訊號電子飄移(Signal EM)與熱可靠度分析。

 

台積電拓展領先業界的整合型扇出(Integrated Fan-Out, InFO) 先進封裝技術,整合記憶體子系統(Subsystem)與邏輯晶粒。台積電與ANSYS提升既有InFO設計流程,支援新InFO_MS封裝技術,並運用ANSYS SIwave-CPA、ANSYS RedHawk-CPA、ANSYS RedHawk-CTA、ANSYS CMA與ANSYS CSM驗證相關晶片模式下的參考流程。InFO_MS參考流程包含針對萃取的晶粒和封裝進行共同模擬與共同分析、電源和訊號完整性分析、電源和訊號電子偏移以及熱分析。

 

台積電設計建構行銷事業處資深處長Suk Lee表示,台積電與ANSYS提供最新的N7+認證與InFO_MS支援,幫助客戶滿足新世代晶片和封裝在效能、可靠度和電源方面的成長需求。

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