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另闢蹊徑搶商機 海力士首款4D NAND Flash問世

文‧侯冠州 發布日期:2018/11/06 關鍵字:SK HynixSSDCTFPUC

SK海力士(SK Hynix)宣布推出首款超越現行3D NAND型快閃記憶體(Flash Memory)的的「4D NAND Flash」產品。目前大多數3D NAND Flash供應商皆採用電荷儲存式快閃記憶體(Charge Trap Flash, CTF)架構,而海力士則是在CTF 架構上結合「PUC(Peri Under Cell)」技術,進而研發出首款96層512Gb 3bit/cell的4D NAND Flash 產品,並預計於今年量產。

SK海力士指出,該公司是首次將3D CTF與PUC技術結合在一起,而這種技術與將3D浮閘(Floating Gate)和整合PUC的方式有所不同,將3D CTF與PUC技術整合,可獲得更高的性能和產能;也因此,該公司將該產品命名為基於CTF的4D 快閃記憶體晶片,以區別當前的3D快閃記憶體技術。

SK海力士副總裁兼快閃記憶體市場營運負責人J.T. Kim表示,新推出的96層CTF 4D NAND Flash將成為SK海力士快閃記憶體業務的新里程碑,該公司計畫在今年內開始大規模量產,並進一步擴大最近完工的清州工廠M15產線產能,以因應客戶和市場需求。

據悉,與72層512Gb 3D NAND Flash相比,新研發的4D NAND Flash尺寸減少30%以上,且每片晶圓的生產率提高了49%。此外,該產品的寫入速度提高了30%,讀取速度則上升25%;至於數據寬頻成長了一倍,達到64KB,同時隨著多閘極電晶體結構的導入,數據輸入輸出(I/O)速度在1.2伏特(1.2V)下可達到1,200 Mbps。

事實上,在8月份時,SK海力士曾於加州舉行的快閃記憶體峰會(FMS)上,預告將推出各種4D NAND應用方案以提升市場競爭力;而在4D NAND Flash成功研發後,SK海力士也預計在今年內推出採用4D NAND Flash且容量為1TB的消費性固態硬碟(SSD)產品,而企業級固態硬碟則計畫在2019年下半年推出。此外,因應高密度移行動設備市場,SK海力士還預計估在2019年上半年推出UFS 3.0,以及超高密度的96層1Tb TLC和QLC。

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