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無鎘QD/矽基氮化鎵聯盟 MicroLED像素縮小87%

文‧程倚華 發布日期:2019/01/18 關鍵字:GaN-on-siliconCES 2019MicroLEDOLED

Plessey Semiconductors和Nanoco Technologies近日宣布合作,利用Nanoco的無鎘量子點(CFQD量子點)半導體奈米粒子技術,能大幅縮小MicroLED顯示器的晶粒像素尺寸。再加上Plessey Semiconductors所掌握的矽基氮化鎵(GaN-on-Silicon)製程技術,整體驅動架構更能進一步做到微型化。是RGB全彩MicroLED顯示技術進程的新里程碑。

由於真正的RGB全彩MicroLED要做到微型化同時維持轉移良率,其技術難度非常高。因此,
Plessey Semiconductors利用其現有的單晶製程,將Nanoco的無鎘量子點導入至藍光LED的選定區域,以增加紅光和綠光。這使最小的像素尺寸(Pixel Size)從現在的30μm縮小到僅4微米(μm),縮小幅度達到87%。在縮小Pixel Size的同時,該製程進展也能使MicroLED顯示器的色彩表現更加寫實,也能增強能源效率。

Plessey Semiconductors業務發展總裁Mike Lee表示,量子點技術為當今新興的顯示器提供了最佳解決方案。Plessey的MicroLED顯示器產品計畫,便是在2019年利用無鎘量子點技術將MicroLED Pixel Size降至4μm。

聚積科技微發光二極體事業部經理黃炳凱說明,由於轉移RGB全彩MicroLED的技術難度過高,因此目前主流的解決方案是利用量子點做到色彩轉換(Color Conversion),就能使的單色藍光LED做到RGB全彩效果。另一方面,驅動電路的設計也是實現超小Pixel Size MicroLED顯示器的一項技術難點,GaN-on-Silicon技術則能做到驅動電路的極度微型化。

Plessey Semiconductors表示,與OLED顯示技術相比,MicroLED能達到更高亮度,體積也更輕巧,並且擁有較高的使用壽命。在AR/VR顯示器應用領域,MicroLED的解析度能夠達到OLED的十倍,對比度更能比OLED高出100倍。而且MicroLED的功耗只有OLED的一半,使注重攜帶的消費電子產品的續航力延長一倍,更沒有如OLED這樣的有機材質所帶來的短壽命與螢幕烙印疑慮。在CES 2019展會上,Plessey展示了其MicroLED技術產品,並獲得了CES 2019創新獎項。
 

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