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台積/格芯訴訟戰爭閃電落幕 雙方專利將交互授權

文‧侯冠州 發布日期:2019/10/30 關鍵字:GlobalFoundriesTSMCFinFET設計淺溝槽隔離技術方淑華Thomas Caulfield

格芯(GlobalFoundries)和台積電(TSMC)宣布撤銷雙方之間及其客戶的訴訟。兩家公司已經達成全球專利交互授權協議,隨著雙方不斷在半導體研發上有龐大的投資,故範圍涵蓋雙方全球現有及未來十年內申請的半導體專利。

格芯在2019年8月時在美國和德國提起了多個法律訴訟,指控台積電所使用的半導體製造技術侵犯16項格芯專利。這些訴訟分別向美國國際貿易委員會(ITC)、美國聯邦法院德拉瓦分院和德州西區分院以及德國杜塞爾多夫地區法院和曼海姆地區法院提交。

在提起法律訴訟的同時,格芯還申請了法院禁制令,以阻止總部位於台灣、在半導體生產領域處於壟斷地位的台積電使用侵權技術生產的產品進口至美國與德國。這些法律訴訟要求格芯指名台積電的主要客戶以及下游電子公司,後者在大多數情況下才會包含了台積電侵權技術產品的實際進口。格芯還基於台積電使用格芯專有技術而產生的數百億美元的銷售額而向台積電提出了巨額的損害賠償請求。

而在格芯提出訴訟不久後,台積電也隨即做出反擊,於2019年9月在美國、德國及新加坡三地對格芯提出多項法律訴訟,控告格芯侵犯台積公司40奈米、28奈米、22奈米、14奈米以及12奈米等製程之25項專利。台積公司在此訴訟之中要求法院核發禁制令,禁止格羅方德生產及銷售侵權之半導體產品,亦對非法使用台積公司半導體專利技術與銷售侵權產品之格羅方德尋求實質性的損害賠償。

訴訟中的25項台積公司專利涉及多種技術,包括FinFET設計、淺溝槽隔離技術、雙重曝光方法、先進密封環及閘極結構、以及創新的接觸蝕刻停止層設計,這些特定技術涵蓋了成熟及先進半導體製程技術的核心功能。

然而,就在雙方交鋒不久後,這場專利戰爭就在近日閃電落幕。雙方宣布撤銷雙方之間及其客戶的訴訟,且已達成全球專利交互授權協議,範圍涵蓋雙方全球現有及未來十年內申請的半導體專利;同時,該協議也保證格芯和台積電有營運自由,而雙方的客戶也確保可繼續獲得完整技術和服務支援。

台積電與格芯訴訟戰閃電和解。

台積電副總經理暨法務長方淑華表示,半導體產業的競爭一直以來都相當激烈,驅使業者追求技術創新,此次決議是相當正面的發展,使我們持續致力於滿足客戶的技術需求,維持創新活力,並使整個半導體產業更加蓬勃昌盛。

格羅方德執行長Thomas Caulfield則指出,此項協議認可了雙方智慧財產的實力,使兩家公司能夠聚焦於創新,並為雙方各自的全球客戶提供更好的服務。同時,該協議也確保了格羅方德持續成長的能力。

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