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盛美新推三款晶圓製程濕法清洗設備

文‧吳心予 發布日期:2020/05/15 關鍵字:盛美濕法製程WLPUltra C

盛美半導體設備近日發布三款用於晶圓正、背面清洗製程的濕法清洗設備系列。這一系列設備包括晶圓背面清洗設備Ultra C b,自動槽式濕法清洗設備Ultra C wb,和刷洗設備Ultra C s,它們將盛美創新的濕法製程技術擴展到更廣泛的應用領域。

圖 盛美半導體設備近日發布三款用於晶圓正、背面清洗製程的濕法清洗設備系列。來源:盛美

這三款Ultra C系列新產品的目標市場是先進集成電路、功率半導體和晶圓級封裝(WLP)領域。其中Ultra C b具有良好的顆粒管控能力和刻蝕均勻性控制能力,該設備三大關鍵應用分別為晶圓背面清洗製程,如金屬去除或RCA清洗;晶圓背面濕法矽刻蝕製程,如晶圓背面濕法減薄或濕法矽通孔露出(TSV reveal);以及晶圓回收製程中的多晶矽層、氧化層和氮化層等膜層剝離去除。該設備可處理高翹曲度晶圓,適用於處理200毫米或300毫米超薄晶圓和鍵合晶圓。

進行晶圓背面清洗時,使用傳統的夾具有可能對晶圓正面會帶來損傷,該設備的晶圓夾具與傳統的夾持方式不同,它利用伯努利效應,使晶圓懸浮於晶圓夾具上,而晶圓正面與夾具間無物理接觸。當清洗化學藥液噴淋到晶圓背面進行製程的時候,晶圓帶器件的正面就會由夾具噴出的氮氣(N2)對其進行保護。

自動槽式清洗設備Ultra C wb,由盛美研發的槽式與單片清洗集成設備Ultra C Tahoe的槽式技術基礎開發,可以進行多達50片晶圓的批量清洗。自動槽式清洗設備的關鍵應用為爐管前清洗、RCA清洗、光阻去除、氧化層刻蝕、氮化矽去除,以及晶圓回收製程中前段FEOL多晶矽/氧化矽層剝離去除,和後段BEOL金屬層剝離去除。該設備可針對不同的應用配置不同的化學藥液槽。晶圓依次在化學藥液槽中浸泡,經去離子水(DI)沖洗,最後在ATOMO乾燥模組中以汽化的異丙醇(IPA)進行乾燥,乾燥後無水痕。該設備的模組化設計和較小的占地面積,使其可靈活配置。槽式清洗設備Ultra C wb可高效地回收使用化學藥水,節能減排。該設備可運用於200毫米或者300毫米的晶圓清洗應用。

新型刷洗設備Ultra C s以原先的刷洗技術為基礎,延伸應用於集成電路製造領域。其配備的軟刷可以用精準的壓力控制來清洗晶圓邊緣及背面的顆粒。該設備配有先進的二流體(氣體和液體)噴淋清洗技術,還可選配盛美獨有的空間交變相位移(SAPS)兆聲波技術以滿足客戶更高的需求─更強勁的小顆粒去除能力。模組化系統可配置8個腔體,用於集成電路製造領域300毫米的晶圓清洗,其中四個腔體用於正面清洗製程,四個腔體用於背面清洗製程。

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