imec展示最新介面氧化技術　鐵電記憶體性能再升級

作者： 黃繼寬
2022 年 12 月 08 日
比利時微電子研究中心(imec)於近日舉行的2022年IEEE國際電子會議(IEDM)上，展示了一款摻雜鑭(La)元素的氧化鉿鋯(HZO)電容器，不僅將循環操作次數提高到1011次，同時具備更佳的電滯曲線，喚醒效應亦有所改善。此次能夠實現鐵電電容的多項性能升級，關鍵在於介面氧化工程技術。這項鐵電電容技術具備高性能、微縮能力與CMOS相容性，將是實現新一代嵌入式與獨立式鐵電隨機存取記憶體(FeRAM)應用的關鍵。...
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