英飛凌(Infineon)旗下IR HiRel推出第一款採用專屬N通道R9技術平台的抗輻射MOSFET。相較於先前的技術，在尺寸、重量、功率上都更加精良。這對於如高傳輸量衛星系統的應用而言非常重要，可大幅降低其每位元價格比(Cost-per-bit-ratio)。這款100V、35A的MOSFET，非常適用於年限高達15年以上的應用，包括太空等級直流對直流轉換器、中間匯流排轉換器、馬達控制器及其他高速切換設計等。
由英飛凌IR HiRel事業體開發的IRHNJ9A7130和IRHNJ9A3130具備完全抗TID (總游離劑量)的功能，抗輻射性分別為100 kRad及300 kRad，25 mΩ的RDS(on)(典型)比前一代裝置低33%，結合了強化的汲極電流能力(從22A提升到35A)，使MOSFET在切換應用上能夠增加功率密度，降低功率損失。
這款MOSFET已提升抗單粒子事件效應(SEE)能力，並具備高達90MeV/(mg/cm2)的直線能量轉移(LET)實用效能，比前一代高出10%以上。兩款新裝置均採用密封、輕量、表面黏著陶瓷封裝(SMD-0.5)技術，尺寸僅10.28mm×7.64mm×3.12mm，也提供裸晶類型。
