專利設計發功 ROHM量產溝槽式SiC-MOSFET

SiC-MOSFET技術新突破。羅姆半導體(ROHM)近日研發出採用溝槽(Trench)結構的SiC-MOSFET,並已建立完整量產機制。新推出的溝槽式SiC-MOSFET和平面型SiC-MOSFET相比,可降低50%導通電阻,大幅降低太陽能發電用功率調節器和工業用變流器等設備的功率損耗。 ...
2015 年 08 月 11 日

取得高通授權 BRUSA打造電動車無線充電系統

為推廣無線充電,高通(Qualcomm)與汽車一級電力電子產品供應商BRUSA宣布達成協議,BRUSA獲得高通Halo技術的專利授權,將用以為插電式混合動力車和電動汽車開發商用電動車無線充電(WEVC)系統。根據協議條款,高通授權BRUSA為特定汽車製造商開發、製造及供應WEVC系統。 ...
2015 年 07 月 31 日

Intel/美光發表3D XPoint技術 打造新記憶體類型

記憶體製程科技大突破。英特爾(Intel)與美光(Micron)科技聯合開發出3D XPoint技術,可實現全新的非揮發性記憶體,是自1989年NAND快閃晶片推出以來第一個新記憶體類別,將徹底改造任何裝置、應用及服務,現已開始在美光的快閃記憶體晶圓廠生產。 ...
2015 年 07 月 30 日

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