EDS分析應考量輕元素吸收效應　碳/氮/氧低能量X光易被吸收(1)

在進行TEM/EDS成分分析時，特別是涉及碳、氮、氧等輕元素時，低能量X光被吸收的效應仍然相當明顯，而且被吸收的量會隨著試片厚度的變化而改變。必須藉由某些特殊的校正技術，才能重新拉回準確度。 隨著半導體技術的不斷演進，奈米區域成分分析在新製程開發中的重要性日益突顯。透過透射電子顯微鏡/能量分散光譜(TEM/EDS)技術，研究人員能夠深入鑑定奈米區域的成分資訊。然而，在進行TEM/EDS成分分析時，特別是涉及碳、氮、氧等輕元素時，低能量X光被吸收的效應仍然相當明顯，而且被吸收的量會隨著試片厚度的變化而改變。...
2024 年 09 月 13 日

EDS分析應考量輕元素吸收效應　碳/氮/氧低能量X光易被吸收(2)

在進行TEM/EDS成分分析時，特別是涉及碳、氮、氧等輕元素時，低能量X光被吸收的效應仍然相當明顯，而且被吸收的量會隨著試片厚度的變化而改變。必須藉由某些特殊的校正技術，才能重新拉回準確度。 X光吸收...
2024 年 09 月 13 日

EDS能譜判讀精準校正　分析偽訊號/能峰重疊(1)

TEM/EDS除了用於本文中提到的材料元素分析，TEM/EDS亦可應用於材料濃度的成份定量分析。EDS定量分析技術利用待分析物周圍已知成份，進行自我校正計算，可提高EDS定量分析的準確度。 隨著半導體製程已逼近物理極限，各國大廠不斷從材料著手想要突破研發瓶頸。材料分析對於改善半導體缺陷、提升製程良率，是非常重要的關鍵。現今的工程師想要解析微奈米材料時，經常會使用電子顯微鏡加裝X光能量散布能譜儀(X-ray...
2024 年 07 月 03 日

EDS能譜判讀精準校正　分析偽訊號/能峰重疊(2)

TEM/EDS除了用於本文中提到的材料元素分析，TEM/EDS亦可應用於材料濃度的成份定量分析。EDS定量分析技術利用待分析物周圍已知成份，進行自我校正計算，可提高EDS定量分析的準確度。 (承前文)圖4的橫軸是原子序，縱軸是Cu...
2024 年 07 月 03 日

TEM破解半導體差排軌跡　找出晶片漏電真因(1)

差排這個微小缺陷可能會引發半導體元件的漏電流，進而嚴重影響元件的可靠性。穿透式電子顯微鏡(TEM)是目前唯一能觀察到微小差排的分析工具。TEM可以分析差排的型貌、密度和種類，以及差排在矽基板內的延伸軌跡。...
2024 年 05 月 03 日

TEM破解半導體差排軌跡　找出晶片漏電真因(２)

差排這個微小缺陷可能會引發半導體元件的漏電流，進而嚴重影響元件的可靠性。穿透式電子顯微鏡(TEM)是目前唯一能觀察到微小差排的分析工具。TEM可以分析差排的型貌、密度和種類，以及差排在矽基板內的延伸軌跡。...
2024 年 05 月 03 日

TEM分析穩固GaN元件功能　掌握差排晶體缺陷(1)

對比前兩大類半導體材料，第三類半導體氮化鎵因製程原料關係，易產生大量的差排缺陷，而差排的密度和種類，又是影響元件功能的一大要素。如何解析差排類型，並將差排的密度控制在一定範圍，是第三類半導體發展的重要關鍵。...
2024 年 02 月 02 日

TEM分析穩固GaN元件功能　掌握差排晶體缺陷(2)

對比前兩大類半導體材料，第三類半導體氮化鎵因製程原料關係，易產生大量的差排缺陷，而差排的密度和種類，又是影響元件功能的一大要素。如何解析差排類型，並將差排的密度控制在一定範圍，是第三類半導體發展的重要關鍵。...
2024 年 02 月 02 日

堆疊式CIS故障分析　多管齊下解決CIS異常

CMOS影像感測器(CMOS Image Sensor, CIS)技術的發展，來自於人們對攝影鏡頭解析度/畫素需求增加。CIS產品能夠從早期數十萬像素，一路朝億級像素邁進，有賴於摩爾定律(Moore’s...
2023 年 03 月 16 日

精準揪出製程缺陷　奈米電性量測明察秋毫

各國大廠近年致力挑戰3奈米、2奈米微縮角力戰，製程技術是一場永無止境的競爭。當研發遇上瓶頸時，無論是IC設計、晶圓製造、測試、封裝等，都需要故障分析輔助來釐清問題所在。 而先進製程中的故障分析，對於研發與產能來說更是至關重大，但元件尺寸越做越小，如何在僅有數奈米的微小尺度下，進行電晶體的特性量測以及缺陷處定位則成為了一大難題。...
2023 年 01 月 26 日

發掘製程可疑缺陷　IC切片把關樣品功能性測試

IC設計後，在進行後續的樣品功能性測試、可靠度測試(Reliability Test)或故障分析除錯(Failure Analysis & Debug)前，必須針對待測樣品做樣品製備前處理(Sample...
2022 年 09 月 26 日

有效降低氮化鉭層電阻　鈷助力先進製程效能提升

隨著人工智慧及大數據時代來臨，晶片也須透過不斷微縮提升效能。面對7奈米(nm)先進製程，如何生產效能更高、耗電更少、面積更小，且符合可靠度要求的晶片，為當今半導體製程的重要課題。
2020 年 01 月 18 日
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