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便攜式儲能概述

便攜式儲能電源的出現，有效解決了戶外活動和緊急情況下的電力需求問題，它們不僅體積小、重量輕，易於攜帶，在環保性和安全性上也具有明顯優勢。目前，便攜式儲能產品主要有三大類，戶外休閒儲能適用於露營、旅行等戶外活動，家用應急儲能適用於家庭停電或自然災害時的緊急備援，而戶外作業儲能則專為戶外工作場所設計，能夠支援多種設備的電力需求。

◎ 本期三大看點

・面向BMS的產品组合

・面向便攜式儲能系統的高壓分立式元件

・面向DCDC轉換器的低壓分立式元件

英飛凌面向BMS的產品組合
OptiMOS™和StrongIRFET™功率MOSFET滿足不同的客户需求

StrongIRFET™ 2系列，採用新一代功率MOSFET技術，可滿足開關電源、電機驅動器、電池供電、電池管理、UPS、輕型電動車和太陽能等多重應用需求。
該系列產品實用性强、性價比高，對於追求便捷選購的設計師而言，堪稱理想之選。該系列產品針對低開關頻率和高開關頻率進行了優化，可為各種應用提供支持，實現靈活設計。新產品支持各類封装，包括TO-220，TO-220 FullPAK、D²PAK、D²PAK 7引脚以及DPAK封装。

特點
  • 分銷合作夥伴可選範圍廣
  • 出色的性價比
  • 高開關頻率和低開關頻率的理想選擇
  • 符合行業標準的封裝
  • 高電流額定值
優势
  • 供應保障增强
  • 產品合適支持多種應用
  • 標準引脚允許直接替換
  • 提高了產品耐用性
StrongIRFET™ 2 N-channel power MOSFET 30V
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英飛凌最新的OptiMOS™ 6功率MOSFET系列可實現高水平的系統效率。OptiMOS™ 6採用尖端的溝槽工藝，在開關/導通損耗和電流能力方面都有顯著改善。這些改進可降低系統損耗，從而提高功率密度、電路板溫度和整體系統的可靠性。目標應用包括開關模式電源(SMPS)、可再生能源、OR-ing電路、電機驅動、LEV和電池供電應用。

特點
  • 低RDS(on)
  • 低Qg和Qgd
  • 高功率耗散
  • 高額定電流
  • 優化閘極閾值
優势
  • 導通損耗低
  • 開關損耗低
  • 優化的熱管理
  • 更强的載流能力
  • 並聯時更好地分擔電流
Latest Infineon PQFN 8x6 package for power MOSFETs
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面向便攜式儲能系統的高壓分立式元件

英飛凌科技推出的CoolSiC™ MOSFET G2產品，為功率轉換領域带來了新的性能水平，同时滿足了各種常見功率方案組合的最高質量標準，包括AC/DC、DC/DC和DC/AC。在光伏逆變器、牽引逆變器、車載充電器、儲能系統、電動汽車充電、電源供應、電機驅動器、DC-DC轉換器等多種應用場景中，與硅基替代品相比，SiC MOSFET提供了額外的性能優勢。

特點
  • 低電容器件
  • 出色的性價比
  • 體二極管的反向恢復電荷較小
  • 無閾值通態特性
優势
  • 冷却需求降低，最高效率得以實現
  • 壽命更長，可靠性更高
  • 操作頻率更高
  • 系統成本降低
  • 功率密度增加
  • 系統複雜程度降低
  • 易於設計和實施
CoolSiC™ MOSFET 1200V G2
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英飛凌最新的600V CoolMOS™ 8是一項全球領先的高壓超結MOSFET技術，無論是技術還是性價比，都在全球樹立了新標竿。
該系列集成快速體二極管，使其成為眾多不同應用的理想選擇。它是英飛凌600V CoolMOS™ 7 MOSFET產品系列(包含P7、S7、CFD7、C7、G7及PFD7)的更新換代，是英飛凌已有寬禁帶產品組合的有力補充。

特點
  • 最低導通電阻RDS(on)*A
  • 集成快速體二極管
  • 換流期間具有良好的穩健性
  • 先進互連技術
  • 從7mΩ開始的漸進式產品組合
  • 頂部冷卻封装
優势
  • 效率相比P7提高0.17%，相比C7提高0.05%
  • 易於使用和加快設計
  • 低振鈴效應
  • 熱阻(Rth)降低14-42%
  • 簡化產品組合
  • 系統級創新
MOSFET CoolMOS™ P7 - optimizing power supplies to meet EMI requirements
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面向DCDC轉換器的低壓分立式元件

OptiMOS™ 6系列40V器件為分立式功率MOSFET設定了新技術標準。憑借OptiMOS™ 6 40V邏輯電平產品系列，英飛淩為需要較低閘極驅動電壓的應用提供了標竿解決方案。

特點
  • 超低Qg，開關損耗低
  • 低RDS(on)
  • 低寄生效應
  • 邏輯和標準電平驅動
  • 卓越的耐熱性
Power MOSFET - Paralleling power MOSFET in high current applications
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OptiMOS™ 6 80V - 新一代功率MOSFET技術，以廣闊封裝組合樹立行業新標竿，產品形式包括PQFN 3.3×3.3、SuperSO8、PQFN 5×6雙面散熱以及PQFN 3.3×3.3 Source-Down版本。該系列專為高開關頻率應用而生，適用於電信、服務器與太陽能系統；其性能提升亦在電池管理系統(MS)中帶來顯著優勢。

特點
  • 相比SSO8封裝的OptiMOS™ 5，RDS(on)再降24%
  • 相比已量產的PQFN 3×3封裝，RDS(on)再降28%
  • 全工業標準封裝，即插即用
  • 標準電平柵極驅動
  • 功率、SOA與雪崩電流全面提升
  • 最高結溫為175°C
  • 具有工業資格
The new OptiMOS 80V family of MOSFETs
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100V OptiMOS™ 6集極低的導通電阻和出色的開關性能於一身。這些特性使OptiMOS™ 6成為高頻開關應用的最佳選擇，支持大幅提高效率的趨勢，同時實現更高功率密度的設計。

特點
  • 低導通損耗
  • 低開關損耗
  • 快速開通和關斷
  • 針對高頻開關進行了優化
  • 高功率密度
  • 高效率
  • 系統可靠性高
借助OptiMOS™ 6 100V功率MOSFET技術，讓您的設計實現更高水平的效率
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英飛淩120V OptiMOS ™ 6功率MOSFET系列對於高頻和低頻的軟、硬開關應用都適用，並可選標準電平和邏輯電平驅動。這些產品有廣泛的應用，如工業功率電源、太陽能、功率充電器、低壓驅動器以及電動工具等。

特點
  • 業界120V耐壓器件最低的RDS(on)
  • 效率最高
  • 高功率密度
  • 系統可靠性高
  • 多種封裝可選
優势
  • 廣泛的應用範圍
  • QDS(on)降低52%
  • 品質因數(FOM)降低64%
  • 反向恢覆電荷(Qrr)降低49%
  • 提供開關損耗和傳導損耗之間的最佳平衡
  • 具有工業資格，最高結溫為175°C
  • 具有出色的功率處理能力和堅固性
  • OptiMOS™ 6 power M
OptiMOS™ 6 power MOSFETs 120V
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OptiMOS™ 6 135V系列專為高功率的電機驅動應用而設計，包括輕型電動車輛(LEV)、電動叉車、電動工具及園藝工具，以及主要採用72V和84V電池的不間斷電源(UPS)。該產品系列有效地彌補了120V至150V MOSFETs的技術間隔，並以業界最低的RDS(on)提供卓越性能，實現了高效的電力管理和降低功率損耗。

特點
  • 業界最低的135V RDS(on)
  • 低Vgs(th)分布
  • 超低反向恢覆電荷
  • 多種封裝組合
優势
  • 降低系統成本
  • 需要更少的並聯
  • 降低Vds過沖和開關損耗
  • 更高的功率密度設計
OptiMOS™ 6 135V Power MOSFET
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新型OptiMOS™ 6 150V技術旨在滿足各種應用的需求，從電信和服務器SMPS到電動叉車和LEV，以及太陽能優化器和大功率USB充電器。OptiMOS™ 6 150V具有業界最低的RDS(on)、改進的開關性能和出色的EMI行為，可實現無與倫比的效率、功率密度和可靠性，與其前身OptiMOS™ 5相比有顯著的改進。

特點
  • RDS(on)比OptiMOS™ 5低高達41%
  • FOMg比OptiMOS™ 5低20%
  • FOMgd比OptiMOS™ 5低17%
  • 改善了二極管軟度
  • 嚴格的Vgs(th)範圍為+/-500mV
  • 高雪崩耐用性
  • 最大Tj為175°C和MSL1
優势
  • 硬開關和軟開關中傳導損耗和開關損耗低
  • 運行穩定，EMI改善，過沖減少
  • 並聯時改善電流共享
  • 增強穩健性
  • 更長的使用壽命和更高的系統可靠性
Increasing output power in motor drives with OptiMOS™ 6 150V
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英飛淩最新的200V OptiMOS™ 6 MOSFET技術採用了專有的新型針狀溝槽技術，可實現更高的功率密度、效率和堅固性。與最新的OptiMOS™ 3相比，OptiMOS™ 6更具顯著的性能優勢。

特點
  • RDS(on)比上一代降低了42%
  • Qrr比上一代降低了45%
  • QOSS比上一代降低了42%
  • 提高電容的線性度
  • 改善動態電流均流
  • 嚴格的參數分布
  • 基於J-STD-020的MSL 1分類
優势
  • 低導通損耗
  • 低開關損耗
  • 運行穩定，電磁幹擾得到改善
  • 需要更少的並聯
  • 並聯時更好地分擔電流
  • 符合RoHS規範，無鉛
The new OptiMOS™ 6 200V family of MOSFETs
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