瞄準3D NAND市場商機，NAND Flash廠相繼於於2018下半年推出QLC架構的3D NAND Flash。除了英特爾(Intel)與美光科技(Micron)於日前宣布，雙方聯手開發的4bits/cell(QLC)3D NAND快閃記憶體開始投產與出貨外；近期三星(Samsung)與Western Digital也相繼發表QLC 3D NAND Flash布局計畫。三星將開始量產款首款搭載QLC快閃記憶體的消費性SSD，而Western Digital則宣布已成功開發出第二代4-bits-per-cell 3D NAND架構，目前已開始送樣，預計今年量產出貨，並於旗下SanDisk品牌之消費性產品率先使用。
三星電子記憶體銷售和市場營銷執行副總裁Jaesoo Han表示，隨著該公司將產品陣容擴展到消費性電子市場和企業市場後，4-bits SSD產品將會迅速普及，擴展到任何市場。
三星指出，4-Bit QLC快閃記憶體能夠讓SSD達到540MB/s的持續讀取速度，以及520MB/s的持續寫入速度；且QLC架構的快閃記憶體可以讓這些SSD產品從 1TB起步，最高達到4TB的容量。目前已開始量產的消費級SSD，一共有1TB、2TB和4TB三種規格。
另一方面，Western Digital則宣布已成功開發第二代96層的BiCS4 3D NAND Flash。透過專為96層BiCS4產品導入的QLC技術，已成功使單顆粒3D NAND的儲存容量高達1.33 Tb(Terabits)。
Western Digital矽晶片技術與製造部門執行副總裁Siva Sivaram指出，透過Western Digital在矽晶片處理、裝置工程和系統整合等方面的能力，QLC技術能提供16個不同單元臨界值電壓來進行資料讀取和儲存。該公司期待新發布的BiCS4 QLC能滿足零售、行動、嵌入式、客戶端及企業級等應用需求。
據悉，BiCS4是Western Digital與合作夥伴東芝記憶體(Toshiba Memory Corporation)於日本四日市合資設立之快閃記憶體製造廠區所研發，而新推出的第二代96層的BiCS4 3D NAND Flash目前已開始送樣，預計今年量產出貨，並於旗下SanDisk品牌之消費性產品率先使用。Western Digital希望BiCS4應用能擴展至各種領域，像是零售至企業級SSD市場。
