中芯國際採用ARM Physical IP 之低耗電與高效能設計達到90奈米製程技術

2006 年 06 月 05 日

中芯國際集成電路與安謀國際(ARM)共同宣布,中芯國際的90奈米LL (低漏電) 與主流製程,已採用隸屬於Artisan Physical IP之ARM Metro低耗電/高密度及Advantage高效能產品。雙方達成的協議進一步擴展彼此間之合作,透過ARM網站免費提供解決方案,協助業者開發尖端設計與解決方案。
 


 

安謀國際Metro低耗電/高密度IP是專為可攜式電子裝置所設計;而Advantage除低耗電之表現外,更提供高速運作的效能,滿足消費性、通訊、以及網路市場中各種應用的需求。Metro與Advantage系列產品都含有安謀國際的Standard Cell 以及多種記憶體編譯器。Metro Standard Cell包括電源管理套件,支援各種動態與漏電功耗節省技術,如時脈控制閘、多重電壓模式、以及功耗控制閘。Metro記憶體編譯器提供類似的先進功耗節省功能。
 


 

Metro與Advantage系列IP包括ARM陣容完整的設計檢視與開發模組,能整合許多業界主流電子設計自動化(EDA)工具。這些檢視方案針對Metro與Advantage產品提供功能、時序、以及功耗等方面的資訊,藉以涵蓋各種運作條件,讓研發業者能建置複雜的耗電率管理系統,在其SoC中主動控制動態與漏電功耗。
 


 

安謀國際Metro與Advantage IP 設計檢視方案將在2006年第4季開放讓授權,透過安謀國際網站供免費下載使用。初期Front End設計檢視方案,讓客戶能提早開始設計與模擬作業,預定在2006年第二季底推出。
 


 

安謀國際網址:www.arm.com
 

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