優化MOSFET性能 低壓超級接面結構一枝獨秀

2011 年 12 月 08 日
採用超級接面結構設計的新型低壓MOSFET已逐漸在市場上嶄露頭角,其不僅可克服現有功率MOSFET結構的缺點,亦能達到低RDS(on)、低QG和低QGD等特性,確保在兼顧晶片尺寸與功耗的前提下,提升DC-DC轉換效率與功率密度。
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