剖析BSIM3v3模型萃取方式(上) 元件模型參數再進化

作者: 許仲延
2006 年 04 月 10 日
BSIM3模型是由加州大學柏克萊分校(UC Berkeley)在1993年發表的重要技術,而此元件模型可用來模擬含括0.18μm (0.1×10-6m)MOS元件的類比電路及數位電路...
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

精算陶瓷電容性能表現 DC- DC轉換器成本省更多

2008 年 08 月 27 日

混搭DSP與FPU功能 MCU加速音效系統開發

2012 年 09 月 06 日

兼顧初/次級側MOSFET選用考量 LLC共振式轉換器提升可靠度

2013 年 10 月 27 日

慎選合適色彩感應器/偵測器 色度測量精確度大躍升

2016 年 08 月 18 日

時脈產生器加強奧援 資料中心頻寬全面提升

2018 年 10 月 13 日

TEM破解半導體差排軌跡 找出晶片漏電真因(2)

2024 年 05 月 03 日
前一篇
CSR低功耗藍芽解決方案打造GG Telecom得獎的GGBlu立體聲耳機
下一篇
凌特推出可操作於11GHz 適合多頻應用的雙組RF功率檢測器