SK海力士(SK Hynix)宣布推出首款超越現行3D NAND型快閃記憶體(Flash Memory)的的「4D NAND Flash」產品。目前大多數3D NAND Flash供應商皆採用電荷儲存式快閃記憶體(Charge Trap Flash, CTF)架構，而海力士則是在CTF 架構上結合「PUC(Peri Under Cell)」技術，進而研發出首款96層512Gb 3bit/cell的4D NAND Flash 產品，並預計於今年量產。
SK海力士指出，該公司是首次將3D CTF與PUC技術結合在一起，而這種技術與將3D浮閘(Floating Gate)和整合PUC的方式有所不同，將3D CTF與PUC技術整合，可獲得更高的性能和產能；也因此，該公司將該產品命名為基於CTF的4D 快閃記憶體晶片，以區別當前的3D快閃記憶體技術。
SK海力士副總裁兼快閃記憶體市場營運負責人J.T. Kim表示，新推出的96層CTF 4D NAND Flash將成為SK海力士快閃記憶體業務的新里程碑，該公司計畫在今年內開始大規模量產，並進一步擴大最近完工的清州工廠M15產線產能，以因應客戶和市場需求。
據悉，與72層512Gb 3D NAND Flash相比，新研發的4D NAND Flash尺寸減少30%以上，且每片晶圓的生產率提高了49%。此外，該產品的寫入速度提高了30%，讀取速度則上升25%；至於數據寬頻成長了一倍，達到64KB，同時隨著多閘極電晶體結構的導入，數據輸入輸出(I/O)速度在1.2伏特(1.2V)下可達到1,200 Mbps。
事實上，在8月份時，SK海力士曾於加州舉行的快閃記憶體峰會(FMS)上，預告將推出各種4D NAND應用方案以提升市場競爭力；而在4D NAND Flash成功研發後，SK海力士也預計在今年內推出採用4D NAND Flash且容量為1TB的消費性固態硬碟(SSD)產品，而企業級固態硬碟則計畫在2019年下半年推出。此外，因應高密度移行動設備市場，SK海力士還預計估在2019年上半年推出UFS 3.0，以及超高密度的96層1Tb TLC和QLC。
