國際整流器(IR)推出新一代絕緣閘雙極電晶體(IGBT)技術平台。全新第八代(Gen8) 1200伏特(V)IGBT技術平台利用IR新一代溝道閘極場截止技術,為工業及節能應用提供卓越的性能。
嶄新的Gen8設計讓頂尖的Vce(on)能減少功耗,增加功率密度,以及提供超卓的耐用性。國際整流器亞太區銷售副總裁潘大偉表示,該公司透過開發全新基準技術及頂尖的IGBT矽平台,彰顯在數十年來致力提升功率電子技術的承諾。國際整流器期望為所有電動馬達提供百分百變頻,藉以更有效使用電能,並且綠化環境。
新技術針對馬達驅動應用提供更好的軟關斷功能,有助於把dv/dt減到最低,從而減少電磁干擾和過壓,以提升可靠性與耐用性。這個平台的參數分布較狹窄,在高電流功率模組內並聯起多個IGBT之時,可帶來出色的電流分配。薄晶圓技術則改善熱阻和達到175℃的最高結溫。
潘大偉指出,國際整流器的Gen8 IGBT平台憑藉最佳的Vce(on)、耐用性及開關功能,能讓工業市場廠商所面對的艱鉅難題迎刃而解。
國際整流器網址:www.irf.com