圖形背景與排列方向影響偵測效果 穿透光與反射光檢測各擅勝場

2007 年 03 月 02 日
反射光在超紫外線微影技術(EUV)世代的應用已甚為重要,特別是在65奈米製程中,更可利用反射光來增強光罩圖案的檢測。在新電子250期中,已了解傳統鉻膜式(Binary)光罩及半透式(Half-tone)光罩在110奈米製程圖形中,使用穿透光與反射光進行規畫缺陷(Programmed...
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