富士通0.18微米FRAM可在5伏特電壓運作

2012 年 02 月 13 日

富士通(Fujitsu)半導體台灣分公司推出以0.18微米技術為基礎的全新鐵電隨機存取記憶體(FRAM)產品系列–MB85RC64V和MB85R16V。兩款型號均支援I²C介面,並可在5伏特電壓下運作。即日起可向客戶提供樣品。
 



近來FRAM產品被廣泛地應用於測量、工廠自動化應用和各種工業領域,因此資料擷取、高速寫入及高耐用性等都是市場需求的關鍵因素。為因應這些市場需求,富士通兩款新產品儲存容量(Density Level)分別為16Kb和64Kb。這兩款晶片均可在3.0~5.5伏特的電壓範圍內運作,可承受讀寫周期高達一兆次,並能在85°C的環境下將資料保存長達10年(正常運作溫度範圍內)。此外,該系列產品運作頻率最高可達400kHz。其採用八接腳塑膠SOP封裝含標準記憶體接腳配置,可完全與E²PROM晶片相容。
 



富士通以豐富的開發與製造經驗,讓晶片設計與生產端的密切合作發揮最佳的效率和成效。這項優勢鞏固該公司在市場上的基礎,並透過穩定的供應鏈持續為客戶提供高品質產品。為進一步滿足市場需求,該公司將持續擴大FRAM產品陣容。除了I²C FRAM系列產品外,也提供具備平行介面的串列周邊介面(SPI)FRAM獨立式晶片,其儲存容量由16Kb至最高4Mb皆備。
 



富士通網址:cn.fujitsu.com/fsp/tw

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