導入閘極屏蔽結構 溝槽式MOSFET功耗銳減

2014 年 03 月 24 日
更高系統效率和功率密度,是現今數據和電信電源系統設計的首要目標。為達此一目的,半導體開發商研發出採用閘極屏蔽結構的新一代溝槽式金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET),可顯著降低全負載及輕負載時的功率損耗。
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