快捷中壓MOSFET實現功率利用最佳化

2014 年 02 月 21 日

許多終端應用如網際網路協定(IP)電話、馬達控制電路、主動箝位開關及負載開關,須要在更小的封裝內實現更佳能效,從而滿足製造廠商的要求。快捷半導體(Fairchild)研發的FDMC86xxxP系列產品,採用P通道PowerTrench金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)來減小封裝,同時實現理想的開關速度和功耗。


快捷半導體低壓產品市場總監Mike Speed表示,眾所周知,傳統產品具有較高的功率損失,使其在現今的電源和馬達電路中並非是高效的解決方案。轉而使用 FDMC86xxxP系列產品,客戶在其應用中可降低功率損失高達50%,改善整體系統效能,因此可降低其終端產品的能耗,有助於保護地球資源。


該系列包括FDMC86261P 150伏特(V)和FDMC86139P 100伏特P通道MOSFET。相較於競爭元件,P通道MOSFET可改善開關效能品質因數(FOM)達67%,令其他競爭器件望塵莫及。另外,導通損失改善46%,開關損失改善38%。這讓設計者能夠縮減封裝,改善整體系統效能。


該系列器件採用3毫米(mm)×3毫米MLP封裝,而競爭解決方案的封裝大小為5毫米×6毫米,因此可節省電路板空間。此外,FDMC86xxxP系列還可滿足客戶降低熱特性的要求,功率損失更低,從而實現更高能效。器件還可在此封裝內實現最低的RDS(ON)。


快捷半導體網址:www.fairchildsemi.com

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