快捷陽極短路IGBT提供最佳開關性能

2013 年 01 月 30 日

快捷半導體(Fairchild)的高壓場截止陽極短路(Shorted Anode)溝槽式絕緣閘雙極電晶體(IGBT),為設計者提供高效且具有成本效益的解決方案。
 



高功率及高頻率感應加熱(IH)電氣用具,需要更低的傳導損失及最佳開關性能,以便在如IH電鍋、桌上型電磁爐,以及以逆變器為架構的微波爐等應用中實現更高效率及系統可靠性,快捷IGBT能解決這些技術難題。
 



新型產品系列的電壓範圍為1000~1400伏特(V),透過內置反向並聯二極體進行優化,適用於軟開關(Soft Switching)應用。透過典型非崩潰(Non-Punch-Through, NPT)IGBT技術改進方案,快捷的陽極短路矽技術可提供更低飽和電壓,相較於具有相同額定電壓的NPT溝槽式IGBT可低12%以上。
 



此外,相較競爭者的IGBT產品,該產品系列可提供低於20%的拖尾電流等級。這些特點使快捷的先進IGBT能提供更佳的熱性能、更高的效率,並減少功率損失。
 



快捷網址:www.fairchildsemi.com

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