恩智浦(NXP)推出新型第四代低VCEsat BISS (Breakthrough in Small Signal)電晶體系列的前八款產品。該產品系列有超低VCEsat電晶體及高速開關電晶體兩種最佳化的選擇。
其電壓範圍為20～60伏特，採用小尺寸SMD封裝SOT23(2.9毫米x1.3毫米x 1毫米)和SOT457(2.9毫米x1.5毫米x1毫米)。這些電晶體被稱為突破性小訊號(BISS)電晶體，它們為減少導通狀態電阻(On-State-Resistance)建立新的標準，並使開關時間降低到絕對最小值。
超低VCEsat 系列下的電晶體能在1安培時實現50毫伏特的超低飽和電壓。四種新的高速開關電晶體使開關和儲存時間降低至125奈秒(ns)。新型BISS-4產品顯示雙極電晶體技術是開關應用的最佳選擇，能達到高性能和降低開關損耗。
新款BISS-4電晶體的特色為高電路效率、低功率損耗，相較於相同封裝的標準電晶體則能產生較低的熱量。這些新產品的DC集電極(Collector) 電流為4.3安培(最高值為ICM 8安培)，採用小型SOT23封裝，其性能是採用SOT23的上一代低VCEsat電晶體的兩倍。新款BISS-4電晶體是為大量消費者、通訊、運算和汽車應用中的負載開關、開關模式電源供應和電源管理功能所設計。
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